SANGIORGI, ENRICO
SANGIORGI, ENRICO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
Docenti di ruolo di Ia fascia
ENRICO SANGIORGI; E. Sangiorgi; Sangiorgi Enrico; Sangiorgi; Sangiorgi E.
Analysis of RTN Induced by Forward Gate Stress in GaN HEMTs with a Schottky p-GaN Gate
2024 Millesimo M.; Fiegna C.; Bakeroot B.; Borga M.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Tallarico A.N.
P-GaN Gate HEMTs: A Solution to Improve the High-Temperature Gate Lifetime
2024 Tallarico A.N.; Millesimo M.; Borga M.; Bakeroot B.; Posthuma N.; Cosnier T.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.
Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs
2024 Volosov V.; Bevilacqua S.; Anoldo L.; Tosto G.; Fontana E.; Russo A.-L.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Tallarico A.N.
A Reconfigurable Setup for the On-Wafer Characterization of the Dynamic RON of 600 V GaN Switches at Variable Operating Regimes
2023 Alessio Alemanno, Alberto Maria Angelotti , Gian Piero Gibiino , Alberto Santarelli , Enrico Sangiorgi, Corrado Florian
Characterization of the Dynamic RON of 600 V GaN Switches under Operating Conditions
2023 Alemanno, Alessio; Santarelli, Alberto; Sangiorgi, Enrico; Florian, Corrado
Role of interface/border traps on the threshold voltage instability of SiC power transistors
2023 Volosov V.; Cascino S.; Saggio M.; Imbruglia A.; Di Giovanni F.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Tallarico A.N.
SiC MOSFETs performance modeling in Simulink Simscape environment
2023 Ferretti, Jacopo; Schiapparelli, Giacomo-Piero; Sangiorgi, Enrico; Tallarico, Andrea Natale
Gate Reliability of p-GaN Power HEMTs Under Pulsed Stress Condition
2022 Millesimo M.; Bakeroot B.; Borga M.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Tallarico A.N.
Sostenere la formazione degli insegnanti attraverso l’interdisciplinarità: il sostegno alla ricerca in didattica e nelle didattiche disciplinari
2022 Enrico Sangiorgi, Lucia Balduzzi, Manuela Ghizzoni, Elena Luppi
TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs
2022 Tallarico A.N.; Millesimo M.; Bakeroot B.; Borga M.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.
The Role of Frequency and Duty Cycle on the Gate Reliability of p-GaN HEMTs
2022 Millesimo M.; Borga M.; Bakeroot B.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Tallarico A.N.
Full Understanding of Hot Electrons and Hot/Cold Holes in the Degradation of p-channel Power LDMOS Transistors
2020 Tallarico A.N.; Reggiani S.; Depetro R.; Croce G.; Sangiorgi E.; Fiegna C.
La ricerca formazione per l’innovazione della didattica universitaria
2020 Dina Guglielmi, Elena Luppi, Barbara Neri, Enrico Sangiorgi, Paola Salomoni, Ira Vannini
Role of the AlGaN barrier on the long-term gate reliability of power HEMTs with p-GaN gate
2020 Tallarico A.N.; Posthuma N.E.; Bakeroot B.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.
Characterization and Modeling of BTI in SiC MOSFETs
2019 Cornigli, D.; Tallarico, A. N.; Reggiani, S.; Fiegna, C.; Sangiorgi, E.; Sanchez, L.; Valdivieso, C.; Consentino, G.; Crupi, F.
Gate Reliability of p-GaN HEMT with Gate Metal Retraction
2019 Tallarico A.N.; Stoffels S.; Posthuma N.; Bakeroot B.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.
La ricerca-formazione per l’innovazione della didattica universitaria
2019 Francesco Ubertini, Enrico Sangiorgi, Paola Salomoni, Dina Guglielmi, Elena Luppi, Ira Vannini
Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability
2019 Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Bakeroot B.; Tallarico A.N.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Zheng J.; Ma X.; Borga M.; Fabris E.; Meneghini M.; Zanoni E.; Meneghesso G.; Priesol J.; Satka A.
TCAD predictions of hot-electron injection in p-type LDMOS transistors
2019 F. Giuliano, A. N. Tallarico, S. Reggiani, A. Gnudi, E. Sangiorgi, C. Fiegna, M. Rossetti, A. Molfese, S. Manzini, R. Depetro, G. Croce
Threshold Voltage Instability in GaN HEMTs with p-Type Gate: Mg Doping Compensation
2019 Tallarico A.N.; Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Analysis of RTN Induced by Forward Gate Stress in GaN HEMTs with a Schottky p-GaN Gate | Millesimo M.; Fiegna C.; Bakeroot B.; Borga M.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Tallaric...o A.N. | 2024-01-01 | - | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| P-GaN Gate HEMTs: A Solution to Improve the High-Temperature Gate Lifetime | Tallarico A.N.; Millesimo M.; Borga M.; Bakeroot B.; Posthuma N.; Cosnier T.; Decoutere S.; Sangi...orgi E.; Fiegna C. | 2024-01-01 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | - | 1.01 Articolo in rivista | P-GaN_Gate_HEMTs_A_Solution_to_Improve_the_High-Temperature_Gate_Lifetime.pdf |
| Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs | Volosov V.; Bevilacqua S.; Anoldo L.; Tosto G.; Fontana E.; Russo A.-L.; Fiegna C.; Sangiorgi E.;... Tallarico A.N. | 2024-01-01 | MICROMACHINES | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| A Reconfigurable Setup for the On-Wafer Characterization of the Dynamic RON of 600 V GaN Switches at Variable Operating Regimes | Alessio Alemanno, Alberto Maria Angelotti , Gian Piero Gibiino , Alberto Santarelli , Enrico Sang...iorgi, Corrado Florian | 2023-01-01 | ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | electronics-12-01063-v3.pdf |
| Characterization of the Dynamic RON of 600 V GaN Switches under Operating Conditions | Alemanno, Alessio; Santarelli, Alberto; Sangiorgi, Enrico; Florian, Corrado | 2023-01-01 | ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | electronics-12-00943 (1).pdf |
| Role of interface/border traps on the threshold voltage instability of SiC power transistors | Volosov V.; Cascino S.; Saggio M.; Imbruglia A.; Di Giovanni F.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Tallari...co A.N. | 2023-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | post_print_INFOS_SSE.pdf |
| SiC MOSFETs performance modeling in Simulink Simscape environment | Ferretti, Jacopo; Schiapparelli, Giacomo-Piero; Sangiorgi, Enrico; Tallarico, Andrea Natale | 2023-01-01 | - | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Gate Reliability of p-GaN Power HEMTs Under Pulsed Stress Condition | Millesimo M.; Bakeroot B.; Borga M.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Tallaric...o A.N. | 2022-01-01 | - | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Sostenere la formazione degli insegnanti attraverso l’interdisciplinarità: il sostegno alla ricerca in didattica e nelle didattiche disciplinari | Enrico Sangiorgi, Lucia Balduzzi, Manuela Ghizzoni, Elena Luppi | 2022-01-01 | - | Guida Editori | 4.01 Contributo in Atti di convegno | Professione_insegnante Sangiorgi Balduzzi Ghizzoni Luppi.pdf |
| TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs | Tallarico A.N.; Millesimo M.; Bakeroot B.; Borga M.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fie...gna C. | 2022-01-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | 1.01 Articolo in rivista | Post_print_version.pdf |
| The Role of Frequency and Duty Cycle on the Gate Reliability of p-GaN HEMTs | Millesimo M.; Borga M.; Bakeroot B.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Tallaric...o A.N. | 2022-01-01 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | - | 1.01 Articolo in rivista | The_Role_of_Frequency_and_Duty_Cycle_on_the_Gate_Reliability_of_p-GaN_HEMTs.pdf; The_Role_of_Frequency_and_Duty_Cycle_on_the_Gate_Reliability_postprint.pdf |
| Full Understanding of Hot Electrons and Hot/Cold Holes in the Degradation of p-channel Power LDMOS Transistors | Tallarico A.N.; Reggiani S.; Depetro R.; Croce G.; Sangiorgi E.; Fiegna C. | 2020-01-01 | - | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | 09129112.pdf; post-print.pdf |
| La ricerca formazione per l’innovazione della didattica universitaria | Dina Guglielmi, Elena Luppi, Barbara Neri, Enrico Sangiorgi, Paola Salomoni, Ira Vannini | 2020-01-01 | - | Genova University Press | 2.01 Capitolo / saggio in libro | Faculty_Development_in_Italia_ebook_indicizzato.zip |
| Role of the AlGaN barrier on the long-term gate reliability of power HEMTs with p-GaN gate | Tallarico A.N.; Posthuma N.E.; Bakeroot B.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C. | 2020-01-01 | MICROELECTRONICS RELIABILITY | - | 1.01 Articolo in rivista | role of the AlGaN post print.pdf |
| Characterization and Modeling of BTI in SiC MOSFETs | Cornigli, D.; Tallarico, A. N.; Reggiani, S.; Fiegna, C.; Sangiorgi, E.; Sanchez, L.; Valdivieso,... C.; Consentino, G.; Crupi, F. | 2019-01-01 | - | Editions Frontieres | 4.01 Contributo in Atti di convegno | 08901761 (1).pdf; combinepdfESSDERC2019.pdf |
| Gate Reliability of p-GaN HEMT with Gate Metal Retraction | Tallarico A.N.; Stoffels S.; Posthuma N.; Bakeroot B.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C. | 2019-01-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| La ricerca-formazione per l’innovazione della didattica universitaria | Francesco Ubertini, Enrico Sangiorgi, Paola Salomoni, Dina Guglielmi, Elena Luppi, Ira Vannini | 2019-01-01 | - | Università degli Studi di Bari Aldo Moro | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability | Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Bakeroot B.; Tallarico A.N.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Zhe...ng J.; Ma X.; Borga M.; Fabris E.; Meneghini M.; Zanoni E.; Meneghesso G.; Priesol J.; Satka A. | 2019-01-01 | - | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| TCAD predictions of hot-electron injection in p-type LDMOS transistors | F. Giuliano, A. N. Tallarico, S. Reggiani, A. Gnudi, E. Sangiorgi, C. Fiegna, M. Rossetti, A. Mol...fese, S. Manzini, R. Depetro, G. Croce | 2019-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Threshold Voltage Instability in GaN HEMTs with p-Type Gate: Mg Doping Compensation | Tallarico A.N.; Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C. | 2019-01-01 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | - | 1.01 Articolo in rivista | Post-print version.pdf |