Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability

Tallarico A. N.;Sangiorgi E.;Fiegna C.;
2019

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
1
10
Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Bakeroot B.; Tallarico A.N.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Zheng J.; Ma X.; Borga M.; Fabris E.; Meneghini M.; Zanoni E.; Meneghesso G.; Priesol J.; Satka A.
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