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Stoffels S., Posthuma N., Decoutere S., Bakeroot B., Tallarico A.N., Sangiorgi E., et al. (2019). Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/IRPS.2019.8720411].

Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability

Tallarico A. N.;Sangiorgi E.;Fiegna C.;
2019
2019
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
1
10
Stoffels S., Posthuma N., Decoutere S., Bakeroot B., Tallarico A.N., Sangiorgi E., et al. (2019). Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/IRPS.2019.8720411].
Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Bakeroot B.; Tallarico A.N.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Zheng J.; Ma X.; Borga M.; Fabris E.; Meneghini M.; Zano...espandi
4.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/705164
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