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FIEGNA, CLAUDIO

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Afferenza

Dipartimento:

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"

Ruolo:

Docenti di ruolo di Ia fascia

Pubblicazioni (Tutti)

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	Titolo	Autore(i)	Anno	Periodico	Editore	Tipo
1	Understanding the Influence of Busbars in Large-Area IBC Solar Cells by Distributed SPICE Simulations	Paolo Magnone;Maarten Debucquoy;Daniele Giaffreda;Niels Posthuma;Claudio Fiegna	2015	IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS		1.01 Articolo in rivista
2	Understanding the Impact of the Doping Profiles on Selective Emitter Solar Cell by Two-Dimensional Numerical Simulation	De Rose R.; Zanuccoli M.; Magnone P.; Frei M.; Sangiorgi E.; Fiegna C.	2013	IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS		1.01 Articolo in rivista
3	Understanding the impact of double screen-printing on silicon solar cells by 2-D numerical simulations	Magnone P.; De Rose R.; Zanuccoli M.; Tonini D.; Galiazzo M.; Cellere G.; Guo H.; Frei M.; Sangiorgi E.; Fiegna C.	2011		IEEE Conference Publications	4.01 Contributo in Atti di convegno
4	Understanding the degradation sources under ON-state stress in AlGaN/GaN-on-Si SBD: Investigation of the anode-cathode spacing length dependence	Tallarico, Andrea Natale; Magnone, Paolo; Stoffels, Steve; Lenci, Silvia; Hu, Jie; Marcon, Denis; Sangiorgi, Enrico; Decoutere, Stefaan; Fiegna, Claudio	2016		Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.	4.01 Contributo in Atti di convegno
5	Understanding negative bias temperature stress in p-channel trench-gate power MOSFETs by low-frequency noise measurement2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)	P. Magnone;G. Barletta;P.A. Traverso;A. Magri;E. Sangiorgi;C. Fiegna	2014		Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.	4.01 Contributo in Atti di convegno
6	Understandig quasi-ballistics trasport in nano-MOSFETS: Part II Technology scaling along the ITRS	Eminente S.; Esseni D.; Palestri P.; Fiegna C.; Selmi L.; Sangiorgi E.	2005	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES		1.01 Articolo in rivista
7	Understandig Quasi-Ballistics Trasport in Nano-MOSFETS: Part I Scattering in the Channel and in the Drain	Palestri P.; Esseni D.; Eminente S.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Selmi L.	2005	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES		1.01 Articolo in rivista
8	ULIS 2005	C. Fiegna; E. Sangiorgi	2005		ARCES, Università di Bologna	3.02 Curatela
9	Two- and Three-Dimensional Numerical Simulation of Advanced Silicon Solar Cells	Enrico Sangiorgi; Mauro Zanuccoli; Raffaele De Rose; Paolo Magnone; Claudio Fiegna	2013		John Wiley & Sons, Inc.	2.01 Capitolo / saggio in libro
10	Towards Self-Powered Systems: Using Nanostructures to Harvest Ambient Energy	Gustavo, Ardila; Anne Kaminski Cachopo, ; Marco, Pala; Alessandro, Cresti; Laurent, Montès; Vincent, Consonni; Ronan, Hinchet; Jérôme, Michallon; Mehdi, Daanoune; Zanuccoli, Mauro; Fiegna, Claudio; Mireille, Mouis	2014		Springer International Publishing	2.01 Capitolo / saggio in libro
11	Threshold Voltage Instability in GaN HEMTs with p-Type Gate: Mg Doping Compensation	Tallarico A.N.; Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Sangiorgi E.; Fiegna C.	2019	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS		1.01 Articolo in rivista
12	Three-Dimensional Numerical Simulation of Rear Point Contact Crystalline Silicon Solar Cells	M.Zanuccoli; H.-W. Guo; E. Sangiorgi; C. Fiegna	2011		Europ. Assoc. for the Develop. of Renewable Energ.	4.01 Contributo in Atti di convegno
13	Three-Dimensional Brownian Dynamics Simulator for the Study of Ion Permeation through Membrane Pores	Claudio Berti; Simone Furini; Dirk Gillespie; Dezső Boda; Robert S. Eisenberg; Enrico Sangiorgi; Claudio Fiegna	2014	JOURNAL OF CHEMICAL THEORY AND COMPUTATION		1.01 Articolo in rivista
14	Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation	Y. Yang; C. Fiegna; S. Eminente; A.G. O'Neill; E. Sangiorgi	2007		s.n	4.01 Contributo in Atti di convegno
15	Theoretical study of the impact of rear interface passivation on MWT silicon solar cells	Nicolai, Massimo; Zanuccoli, Mauro; Magnone, Paolo; Tonini, Diego; Sangiorgi, Enrico; Fiegna, Claudio	2016	JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS		1.01 Articolo in rivista
16	The Monte Carlo approach to transport modeling in deca-nanometer MOSFETs	E. Sangiorgi; P. Palestri; D. Esseni; C. Fiegna; L. Selmi	2008	SOLID-STATE ELECTRONICS		1.01 Articolo in rivista
17	The impact of substrate bias on RTS and flicker noise in MOSFETs operating under switched gate bias	N. Zanolla; D. Siprak; M. Tiebout; P. Baumgartner; E. Sangiorgi; C. Fiegna.	2008		IEEE	4.01 Contributo in Atti di convegno
18	TCAD numerical simulation of Metal Wrap Through solar cell2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-state Circuits	P. Magnone;C. Fiegna;E. Sangiorgi;D. Tonini;M. Frei	2013			4.01 Contributo in Atti di convegno
19	TCAD investigation on hot-electron injection in new-generation technologies	Reggiani, S.; Rossetti, M.; Gnudi, A.; Tallarico, A.N.; Molfese, A.; Manzini, S.; Depetro, R.; Croce, G.; Sangiorgi, E.; Fiegna, C.*	2018	MICROELECTRONICS RELIABILITY		1.01 Articolo in rivista
20	Suppression of Random Telegraph Signal Noise in small-area MOSFETs under switched gate and substrate bias conditions	N. Zanolla; D. Siprak; M. Tiebout; P. Baumgartner; E. Sangiorgi; C. Fiegna	2009		American Institute of Physics	4.01 Contributo in Atti di convegno

Dettaglio

Nome completo:

FIEGNA, CLAUDIO

struttura:

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"

settore SSD:

Settore ING-INF/01 - Elettronica