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ItalianoFIEGNA, CLAUDIO
Pubblicazioni
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | A comparison of advanced transport models for the computation of the drain current in nanoscale nMOSFETs | P. Palestri; C. Alexander; A. Asenov; V. Aubry-Fortuna; G. Baccarani; A. Bournel; M. Braccioli; B. Cheng; P. Dollfus; A. Esposito; D. Esseni; C. Fenouillet-Beranger; C. Fiegna; G. Fiori; A. Ghetti; G. Iannaccone; A. Martinez; B. Majkusiak; S. Monfray; V. Peikert; S. Reggiani; C. Riddet; J. Saint-Martin; E. Sangiorgi; A. Schenk; L. Selmi; L. Silvestri; P. Toniutti; J. Walczak | 2009 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 2 | A Distributed Electrical Model for Interdigitated back Contact Silicon Solar Cells | Daniele Giaffreda;Maarten Debucquoy;Paolo Magnone;Niels Posthuma;Claudio Fiegna | 2014 | ENERGY PROCEDIA | 1.01 Articolo in rivista | |
| 3 | A Distributed Electrical Network to Model the Local Shunting in Multicrystalline Silicon Solar Cells | D. Giaffreda; P. Magnone; R. De Rose; M. Barbato; M. Meneghini; V. Giliberto; G. Meneghesso; E. Sangiorgi; C. Fiegna | 2012 | s.n. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 4 | A Methodology to Account for the Finger Non-Uniformity in Photovoltaic Solar Cell | P. Magnone; G. Napoletano; R. De Rose; F. Crupi; D. Tonini; G. Cellere; M. Galiazzo; E. Sangiorgi; C. Fiegna | 2012 | ENERGY PROCEDIA | 1.01 Articolo in rivista | |
| 5 | A novel Brownian-Dynamics Algorithm for the Simulation of Ion Conduction Through Membrane Pores | Claudio Berti;Dirk Gillespie;Bob Eisenberg;Simone Furini;Claudio Fiegna | 2011 | BIOPHYSICAL JOURNAL | 4.02 Riassunto (Abstract) | |
| 6 | AC and DC numerical simulation of Self–Heating Effects in FinFETs | M. Braccioli; A. Scholten; G. Curatola; E. Sangiorgi; C. Fiegna | 2010 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 7 | Advanced electro-optical simulation of nanowire-based solar cells | Mauro Zanuccoli; Igor Semenihin; Jerome Michallon; Enrico Sangiorgi; Claudio Fiegna | 2013 | JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 8 | Advanced protective coatings for reflectivity enhancement by low temperature atomic layer deposition of HfO2on Al surfaces for micromirror applications | Cianci, E.*; Lamperti, A.; Tallarida, G.; Zanuccoli, M.; Fiegna, C.; Lamagna, L.; Losa, S.; Rossini, S.; Vercesi, F.; Gatti, D.; Wiemer, C. | 2018 | SENSORS AND ACTUATORS. A, PHYSICAL | 1.01 Articolo in rivista | |
| 9 | An improved semi-classical Monte-Carlo approach for nano-scale MOSFET simulation | P. Palestri; S. Eminente; D. Esseni;C. Fiegna; E. Sangiorgi; L. Selmi | 2005 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 10 | An improved semiclassical Monte-Carlo appproach for nano-scale MOSFET simulation | P. PALESTRI; S. EMINENTE; D. ESSENI; FIEGNA C.; E. SANGIORGI; L. SELMI | 2004 | K. De Meyer, N. Collaert | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 11 | Analysis of Ballistic Transport in MOSFETs along the ITRS Roadmap | P.Palestri; S.Eminente; D.Esseni; C.Fiegna; L.Selmi; E.Sangiorgi | 2005 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 12 | Analysis of double-gate MOS structures by solving Poisson and Schroedinger equations with open boundaries | N. BARIN; FIEGNA C. | 2004 | De Meyer K.; Collaert N. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 13 | Analysis of Scaling Strategies for Sub-30 nm Double-Gate SOI N-MOSFETs | N. Barin; M. Braccioli; C. Fiegna; E. Sangiorgi | 2007 | IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY | 1.01 Articolo in rivista | |
| 14 | Analysis of Self-Heating Effects in Ultrathin-Body SOI MOSFETs by Device Simulation | Claudio Fiegna; Yang Yang; Enrico Sangiorgi; Anthony G. O’Neill | 2008 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 15 | Analysis of Silicon Dioxide Interface Transition Region in MOS Structures | S. Markov ; N. Barin; C. Fiegna; S. Roy; E. Sangiorgi; A. Asenov | 2007 | Springer Verlag | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 16 | Analysis of Silicon Solar Cells With Poly-Si/SiOx Carrier-Selective Base and Emitter Contacts | Massimo, Nicolai; Mauro, Zanuccoli; Frank, Feldmann; Martin, Hermle; Claudio, Fiegna | 2018 | IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 17 | Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures | N. Barin; C. Fiegna; E. Sangiorgi | 2004 | R.P. Mertens, C. L. Claeys | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 18 | Analysis of the Impact of Doping Levels on Performance of back Contact-Back Junction Solar Cells | Paul Procel; Vincenzo Maccaronio; Felice Crupi; Giuseppe Cocorullo; Mauro Zanuccoli; Paolo Magnone; Claudio Fiegna | 2014 | ENERGY PROCEDIA | 1.01 Articolo in rivista | |
| 19 | Analysis of the impact of geometrical and technological parameters on recombination losses in interdigitated back-contact solar cells | Mauro, Zanuccoli; Paolo, Magnone; Enrico, Sangiorgi; Claudio, Fiegna | 2015 | SOLAR ENERGY | 1.01 Articolo in rivista | |
| 20 | Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs | N.Barin; M.Braccioli; C.Fiegna; E.Sangiorgi | 2006 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
Dettaglio
FIEGNA, CLAUDIO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
Docenti di ruolo di Ia fascia
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