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EnglishFIEGNA, CLAUDIO
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Understanding the Influence of Busbars in Large-Area IBC Solar Cells by Distributed SPICE Simulations | Paolo Magnone;Maarten Debucquoy;Daniele Giaffreda;Niels Posthuma;Claudio Fiegna | 2015 | IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 2 | Understanding the Impact of the Doping Profiles on Selective Emitter Solar Cell by Two-Dimensional Numerical Simulation | De Rose R.; Zanuccoli M.; Magnone P.; Frei M.; Sangiorgi E.; Fiegna C. | 2013 | IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 3 | Understanding the impact of double screen-printing on silicon solar cells by 2-D numerical simulations | Magnone P.; De Rose R.; Zanuccoli M.; Tonini D.; Galiazzo M.; Cellere G.; Guo H.; Frei M.; Sangiorgi E.; Fiegna C. | 2011 | IEEE Conference Publications | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 4 | Understanding the degradation sources under ON-state stress in AlGaN/GaN-on-Si SBD: Investigation of the anode-cathode spacing length dependence | Tallarico, Andrea Natale; Magnone, Paolo; Stoffels, Steve; Lenci, Silvia; Hu, Jie; Marcon, Denis; Sangiorgi, Enrico; Decoutere, Stefaan; Fiegna, Claudio | 2016 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 5 | Understanding negative bias temperature stress in p-channel trench-gate power MOSFETs by low-frequency noise measurement2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) | P. Magnone;G. Barletta;P.A. Traverso;A. Magri;E. Sangiorgi;C. Fiegna | 2014 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 6 | Understandig quasi-ballistics trasport in nano-MOSFETS: Part II Technology scaling along the ITRS | Eminente S.; Esseni D.; Palestri P.; Fiegna C.; Selmi L.; Sangiorgi E. | 2005 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 7 | Understandig Quasi-Ballistics Trasport in Nano-MOSFETS: Part I Scattering in the Channel and in the Drain | Palestri P.; Esseni D.; Eminente S.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Selmi L. | 2005 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 8 | ULIS 2005 | C. Fiegna; E. Sangiorgi | 2005 | ARCES, Università di Bologna | 3.02 Curatela | |
| 9 | Two- and Three-Dimensional Numerical Simulation of Advanced Silicon Solar Cells | Enrico Sangiorgi; Mauro Zanuccoli; Raffaele De Rose; Paolo Magnone; Claudio Fiegna | 2013 | John Wiley & Sons, Inc. | 2.01 Capitolo / saggio in libro | |
| 10 | Towards Self-Powered Systems: Using Nanostructures to Harvest Ambient Energy | Gustavo, Ardila; Anne Kaminski Cachopo, ; Marco, Pala; Alessandro, Cresti; Laurent, Montès; Vincent, Consonni; Ronan, Hinchet; Jérôme, Michallon; Mehdi, Daanoune; Zanuccoli, Mauro; Fiegna, Claudio; Mireille, Mouis | 2014 | Springer International Publishing | 2.01 Capitolo / saggio in libro | |
| 11 | Three-Dimensional Numerical Simulation of Rear Point Contact Crystalline Silicon Solar Cells | M.Zanuccoli; H.-W. Guo; E. Sangiorgi; C. Fiegna | 2011 | Europ. Assoc. for the Develop. of Renewable Energ. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 12 | Three-Dimensional Brownian Dynamics Simulator for the Study of Ion Permeation through Membrane Pores | Claudio Berti; Simone Furini; Dirk Gillespie; Dezső Boda; Robert S. Eisenberg; Enrico Sangiorgi; Claudio Fiegna | 2014 | JOURNAL OF CHEMICAL THEORY AND COMPUTATION | 1.01 Articolo in rivista | |
| 13 | Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation | Y. Yang; C. Fiegna; S. Eminente; A.G. O'Neill; E. Sangiorgi | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 14 | Theoretical study of the impact of rear interface passivation on MWT silicon solar cells | Nicolai, Massimo; Zanuccoli, Mauro; Magnone, Paolo; Tonini, Diego; Sangiorgi, Enrico; Fiegna, Claudio | 2016 | JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 15 | The Monte Carlo approach to transport modeling in deca-nanometer MOSFETs | E. Sangiorgi; P. Palestri; D. Esseni; C. Fiegna; L. Selmi | 2008 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 16 | The impact of substrate bias on RTS and flicker noise in MOSFETs operating under switched gate bias | N. Zanolla; D. Siprak; M. Tiebout; P. Baumgartner; E. Sangiorgi; C. Fiegna. | 2008 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 17 | TCAD numerical simulation of Metal Wrap Through solar cell2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-state Circuits | P. Magnone;C. Fiegna;E. Sangiorgi;D. Tonini;M. Frei | 2013 | 4.01 Contributo in Atti di convegno | ||
| 18 | TCAD investigation on hot-electron injection in new-generation technologies | Reggiani, S.; Rossetti, M.; Gnudi, A.*; Tallarico, A.N.; Molfese, A.; Manzini, S.; Depetro, R.; Croce, G.; Sangiorgi, E.; Fiegna, C. | 2018 | MICROELECTRONICS RELIABILITY | 1.01 Articolo in rivista | |
| 19 | Suppression of Random Telegraph Signal Noise in small-area MOSFETs under switched gate and substrate bias conditions | N. Zanolla; D. Siprak; M. Tiebout; P. Baumgartner; E. Sangiorgi; C. Fiegna | 2009 | American Institute of Physics | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 20 | Stability of Self-Consistent Monte-Carlo Simulations: Revised Analysis of Linear and Non-Linear Poisson Schemes | N. Barin; P. Palestri ; D. Esseni ; C. Fiegna | 2005 | Università di Pisa | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
Nome completo:
FIEGNA, CLAUDIO
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