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BRACCIOLI, MARCO

BRACCIOLI, MARCO  

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Titolo Autore(i) Anno Periodico Editore Tipo File
AC and DC numerical simulation of Self–Heating Effects in FinFETs M. Braccioli; A. Scholten; G. Curatola; E. Sangiorgi; C. Fiegna 2010-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Simulation of Bulk and SOI Digital Circuits Including Self-Heating Effects U. Roy; M. Braccioli; E. Sangiorgi; C. Fiegna 2010-01-01 - s.n 4.02 Riassunto (Abstract) -
A comparison of advanced transport models for the computation of the drain current in nanoscale nMOSFETs P. Palestri; C. Alexander; A. Asenov; V. Aubry-Fortuna; G. Baccarani; A. Bournel; M. Braccioli; B.... Cheng; P. Dollfus; A. Esposito; D. Esseni; C. Fenouillet-Beranger; C. Fiegna; G. Fiori; A. Ghetti; G. Iannaccone; A. Martinez; B. Majkusiak; S. Monfray; V. Peikert; S. Reggiani; C. Riddet; J. Saint-Martin; E. Sangiorgi; A. Schenk; L. Selmi; L. Silvestri; P. Toniutti; J. Walczak 2009-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Simulation of Self-Heating Effects in Different SOI MOS Architectures M. Braccioli; G. Curatola; Y. Yang; E. Sangiorgi; C. Fiegna 2009-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Comparative analysis of self-heating in different SOI architectures M. Braccioli; C. Fiegna; E. Sangiorgi 2008-01-01 - sine nomine 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Monte-Carlo simulation of MOSFETs with band offsets in the source and drain M. Braccioli; P. Palestri; M. Mouis ; T. Poiroux; M. Vinet; G. Le Carval;
C. Fiegna; E. Sangiorg...i; S. Deleonibus 		2008-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Simulation of self-heating effects in 30 nm gate length FinFET M. Braccioli; G. Curatola; Y. Yang; E. Sangiorgi; C. Fiegna 2008-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Analysis of Scaling Strategies for Sub-30 nm Double-Gate SOI N-MOSFETs N. Barin; M. Braccioli; C. Fiegna; E. Sangiorgi 2007-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY - 1.01 Articolo in rivista -
Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs C. Fiegna; M. Braccioli; S. C. Brugger; F. M. Bufler; P. Dollfus; V. Aubry-Fortuna; C. Jungemann;... B. Meinerzhagen; P. Palestri; S. Galdin-Retailleau; E. Sangiorgi; A. Schenk; L. Selmi 2007-01-01 - Springer Verlag 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Monte Carlo simulation of MOSFETs with band-offsets in the source and drain M. Braccioli; P. Palestri; T. Poiroux; M. Vinet; G. Le Carval; M. Mouis; C. Fiegna; E. Sangiorgi 2007-01-01 - S. N. 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Monte-Carlo simulation of decananometric nMOSFETs: Multi-subband vs. 3D-electron gas with quantum corrections I. Riolino; M. Braccioli; L. Lucci; P. Palestri; D. Esseni; C. Fiegna; L. Selmi 2007-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs N.Barin; M.Braccioli; C.Fiegna; E.Sangiorgi 2006-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Monte-Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections I.Riolino; M.Braccioli; L.Lucci; D.Esseni; C.Fiegna; P.Palestri; L.Selmi 2006-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study M. Braccioli; S.Eminente; P.Palestri; D.Esseni; C.Fiegna 2005-01-01 - Università di Pisa 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Scaling the High-Performance Double-Gate SOI MOSFET down to the 32 nm Technology Node with SiO2-based Gate Stacks N. Barin ; M. Braccioli ; C. Fiegna ; E. Sangiorgi 2005-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -