CRIS Current Research Information System

I.Riolino, M.Braccioli, L.Lucci, D.Esseni, C.Fiegna, P.Palestri, et al. (2006). Monte-Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections. s.l : s.n.

Monte-Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections

BRACCIOLI, MARCO;FIEGNA, CLAUDIO;
2006
2006
Proceedings of the 36th European Solid-Sate Device Reseacrh Conference
162
165
I.Riolino, M.Braccioli, L.Lucci, D.Esseni, C.Fiegna, P.Palestri, et al. (2006). Monte-Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections. s.l : s.n.
I.Riolino; M.Braccioli; L.Lucci; D.Esseni; C.Fiegna; P.Palestri; L.Selmi
4.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/36267
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