Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study

BRACCIOLI, MARCO;EMINENTE, SIMONE;FIEGNA, CLAUDIO
2005

2005
Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices
89
90
M. Braccioli; S.Eminente; P.Palestri; D.Esseni; C.Fiegna
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