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M. Braccioli, S.Eminente, P.Palestri, D.Esseni, C.Fiegna (2005). Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study. PISA : Università di Pisa.

Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study

BRACCIOLI, MARCO;EMINENTE, SIMONE;FIEGNA, CLAUDIO
2005
2005
Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices
89
90
M. Braccioli, S.Eminente, P.Palestri, D.Esseni, C.Fiegna (2005). Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study. PISA : Università di Pisa.
M. Braccioli; S.Eminente; P.Palestri; D.Esseni; C.Fiegna
4.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/23069
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