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Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study / M. Braccioli; S.Eminente; P.Palestri; D.Esseni; C.Fiegna. - STAMPA. - (2005), pp. 89-90. (Intervento presentato al convegno Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices tenutosi a Pisa nel 4-5 Luglio, 2005).

Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study

BRACCIOLI, MARCO;EMINENTE, SIMONE;FIEGNA, CLAUDIO
2005
2005
Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices
89
90
Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: a Monte-Carlo Study / M. Braccioli; S.Eminente; P.Palestri; D.Esseni; C.Fiegna. - STAMPA. - (2005), pp. 89-90. (Intervento presentato al convegno Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices tenutosi a Pisa nel 4-5 Luglio, 2005).
M. Braccioli; S.Eminente; P.Palestri; D.Esseni; C.Fiegna
4.01 Contributo in Atti di convegno
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