Full-band Monte Carlo simulation of short-channel Double-Gate SOI MOSFETs were used to assess possible improvement of drain current in devices featuring conduction-band offsets between the source and the channel, obyained adopting non-conventional materials for the source and drain regions.

Monte Carlo simulation of MOSFETs with band-offsets in the source and drain

BRACCIOLI, MARCO;FIEGNA, CLAUDIO;SANGIORGI, ENRICO
2007

Abstract

Full-band Monte Carlo simulation of short-channel Double-Gate SOI MOSFETs were used to assess possible improvement of drain current in devices featuring conduction-band offsets between the source and the channel, obyained adopting non-conventional materials for the source and drain regions.
Proceedings of the 8th Conference on Ultimate Integration on Silicon
39
42
M. Braccioli; P. Palestri; T. Poiroux; M. Vinet; G. Le Carval; M. Mouis; C. Fiegna; E. Sangiorgi
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11585/46091
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact