N.Barin, M.Braccioli, C.Fiegna, E.Sangiorgi (2006). Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs. s.l : s.n.

Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs

BRACCIOLI, MARCO;FIEGNA, CLAUDIO;SANGIORGI, ENRICO
2006

2006
Proceedings of the IEEE 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
69
70
N.Barin, M.Braccioli, C.Fiegna, E.Sangiorgi (2006). Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs. s.l : s.n.
N.Barin; M.Braccioli; C.Fiegna; E.Sangiorgi
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/36266
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact