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Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs / N.Barin; M.Braccioli; C.Fiegna; E.Sangiorgi. - STAMPA. - (2006), pp. 69-70. (Intervento presentato al convegno IEEE 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop tenutosi a Honolulu, Hawai, USA nel 11, 12 Giugno 2006).

Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs

BRACCIOLI, MARCO;FIEGNA, CLAUDIO;SANGIORGI, ENRICO
2006
2006
Proceedings of the IEEE 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
69
70
Analysis of two alternative scaling strategies for sub-30 nm Double-Gate SOI MOSFETs / N.Barin; M.Braccioli; C.Fiegna; E.Sangiorgi. - STAMPA. - (2006), pp. 69-70. (Intervento presentato al convegno IEEE 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop tenutosi a Honolulu, Hawai, USA nel 11, 12 Giugno 2006).
N.Barin; M.Braccioli; C.Fiegna; E.Sangiorgi
4.01 Contributo in Atti di convegno
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