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EnglishGNUDI, ANTONIO
Dipartimento:
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
Ruolo:
Docenti di ruolo di IIa fascia
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Wireless multi-standard terminals: system analysis and design of a reconfigurable RF front-end | F. Agnelli; G. Albasini; I. Bietti; A. Gnudi; A. Lacaita; D. Manstretta; R. Rovatti; E. Sacchi; P. Savazzi; F. Svelto; E. Temporiti; S. Vitali; R. Castello | 2006 | IEEE CIRCUITS AND SYSTEMS MAGAZINE | 1.01 Articolo in rivista | |
| 2 | Unified model for low-field mobility in bulk and SOI-MOSFETs with different substrate orientations and its application to quantum drift-diffusion simulation | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2008 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 3 | Tight-binding versus effective-mass modeling of carbon nanotube FETs | S. Poli; G. Fiori; S. Reggiani; A. Gnudi; G. Iannaccone | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 4 | Tight-binding and effective mass modeling of armchair carbon nanoribbon FETs | R. Grassi; S. Poli; E Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani | 2008 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 5 | Tight-binding and effective mass modeling of armchair carbon nanoribbon FETs | R. Grassi; S. Poli; E Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani | 2009 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 6 | Theory of the Junctionless UTB SOI-FET | Elena Gnani; Antonio Gnudi; Susanna Reggiani; Giorgio Baccarani | 2012 | s.n | 4.02 Riassunto (Abstract) | |
| 7 | Theory of the Junctionless Nanowire FET | E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani | 2011 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 8 | Theoretical foundations of the quantum drift-diffusion and density-gradient models | G. Baccarani; E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; M. Rudan | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 9 | Theoretical foundations of the quantum drift-diffusion and density-gradient models | G. Baccarani; E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; M. Rudan | 2008 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 10 | Theoretical Analysis of the Vertical LOCOS DMOS Transistor with Process-Induced Stress Enhancement | S. Reggiani; M. Denison; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; S. Pendharkar; R. Wise | 2010 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 11 | Theoretical Analysis of the Vertical LOCOS DMOS Transistor with Process-Induced Stress Enhancement | S. Reggiani; M. Denison; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; S. Pendharkar; R. Wise | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 12 | Theoretical analysis and modeling for nanoelectronics | Baccarani, Giorgio; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Reggiani, Susanna | 2016 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 13 | Theoretical analyses and modeling for nanoelectronics | Baccarani, G.; Baravelli, E.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S. | 2015 | PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE | Editions Frontieres | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
| 14 | Theoretical analyses and modeling for nanoelectronics | Baccarani, G.; Baravelli, E.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S. | 2015 | IEEE Computer Society | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 15 | TFET-based inverter performance in the presence of traps and localized strain | Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Baccarani, G.; Visciarelli, M. | 2018 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 16 | TFET Inverters With n-/p-Devices on the Same Technology Platform for Low-Voltage/Low-Power Applications | Emanuele, Baravelli; Elena, Gnani; Antonio, Gnudi; Susanna, Reggiani; Giorgio, Baccarani | 2014 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 17 | Temperature Dependence of the Threshold Voltage Shift Induced by Carrier Injection in Integrated STI-based LDMOS Transistors | S. Poli; S. Reggiani; M. Denison; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; S. Pendharkar; R. Wise | 2011 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 18 | TCAD-based investigation on transport properties of Diamond-like carbon coatings for HV-ICs | Reggiani, Susanna; Giordano, Carlo; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Baccarani, Giorgio; Dobrzynska, J.; Vobecky, J.; Bellini, Maurizio | 2016 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 19 | TCAD study of DLC coatings for large-area high-power diodes | Reggiani, S.; Balestra, L.; Gnudi, A.*; Gnani, E.; Baccarani, G.; Dobrzynska, J.; Vobecký, J.; Tosi, C. | 2018 | MICROELECTRONICS RELIABILITY | 1.01 Articolo in rivista | |
| 20 | TCAD Simulation of Hot-Carrier and Thermal Degradation in STI-LDMOS Transistors | Susanna Reggiani;Gaetano Barone;Stefano Poli;Elena Gnani;Antonio Gnudi;Giorgio Baccarani;Ming-Yeh Chuang;Weidong Tian;Rick Wise | 2013 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista |
Nome completo:
GNUDI, ANTONIO
struttura:
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
settore SSD:
Settore ING-INF/01 - Elettronica
Varianti:
ANTONIO GNUDI
A. Gnudi
GNUDI A.
A. Gundi
A. Gnudi
GNUDI A.
A. Gundi
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