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ItalianoGNUDI, ANTONIO
Pubblicazioni
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | A 0.83-2.5 GHz Continuously Tunable Quadrature VCO | D. Guermandi; P. Tortori; E. Franchi Scarselli; A. Gnudi | 2005 | IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 2 | 3D Capacitive transmission of analog signals with automatic compensation of the voltage attenuation | E. Franchi Scarselli; F. Natali; A. Gnudi; M. Innocenti; L. Ciccarelli; M. Scandiuzzo; R. Canegal...lo; R. Guerrieri | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 3 | 3D TCAD modeling of NO2CNT FET sensors | Stefania Carapezzi; Sebastian Eberle; Susanna Reggiani; Elena Gnani; Cosmin Roman; Christofer Hie...rold; Antonio Gnudi | 2018 | Institute of Electrical and Electronics Engineers ( IEEE ) ; Curran Associates | 4.01 Contributo in Atti di convegno | ||
| 4 | A 0.75-2.2 GHz continuously tunable quadrature VCO | GUERMANDI D.; TORTORI P.; FRANCHI E.; GNUDI A. | 2005 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 5 | A 0.86 – 2.4 GHz Fractional Synthesizer with Spur Compensation and Linearization Techniques for Multi-standard Cellular Transceivers | D. Guermandi; P. Tortori; E. Franchi Scarselli; A. Gnudi; E. Temporiti; I. Bietti | 2006 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 6 | A 2V 0.35um CMOS DECT RF front-end with on-chip frequency synthesizer | D. Guermandi|; E. Franchi; A. Gnudi; P. Rossi; F. Svelto; R. Castello | 2005 | SPIE-Intern. Society for Optical Engineering | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 7 | A CMOS 90 nm 55 mW 3.4-to-9.2 GHz 12 Band frequency synthesizer for MB-OFDM UWB | M. Guermandi; E. Franchi Scarselli; A. Gnudi | 2009 | IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 8 | A design flow for inductively degenerated LNA's | GUERMANDI D.; FRANCHI E.; GNUDI A. | 2004 | ICECS 2004 Organizing Committe | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 9 | A deterministic solution of the Boltzmann transport equation for a one-dimensional electron gas in silicon nanowires | M. Lenzi; E. Gnani; S. Reggiani; A. Gnudi; M. Rudan; G. Baccarani | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 10 | A fully parameterized FEM model for electromagnetic optimization of an RF-MEMS wafer-level package | J. Iannacci; J. Tian; R. Gaddi; A. Gnudi; M. Bartek | 2007 | EDA Publishing | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 11 | A gain/phase mismatch calibration procedure for RF I/Q downconverters | VITALI S.; FRANCHI E.; GNUDI A. | 2005 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 12 | A Low-Field Mobility Model for Bulk and Ultrathin-Body SOI p-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani. | 2010 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 13 | A Low-Field Mobility Model for Bulk, Ultrathin Body SOI and Double-Gate n-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations—Part I: Fundamental Principles | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2010 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 14 | A Low-Field Mobility Model for Bulk, Ultrathin Body SOI and Double-Gate n-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations—Part II: Ultrathin Silicon Films | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2010 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 15 | A MEMS capacitive test structure for in-line automatic planar stress characterization | M. Bellei; R. Gaddi; A. Gnudi | 2008 | JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 16 | A MEMS reconfigurable quad-band class-E power amplifier for GSM standard | L. Larcher; R. Brama; M. Ganzerli; J. Iannacci; B. Margesin; M. Bedani; A. Gnudi | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 17 | A MEMS Reconfigurable Quad-Band Class-E Power Amplifier for GSM Standard | L. Larcher; R. Brama; M. Ganzerli; J. Iannacci; M. Bedani; A. Gnudi | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 18 | A new solution method of the 1D open-boundary Schrödinger equation for transport in NW-FETs including band effects | E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; M. Rudan; G. Baccarani | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 19 | A Quasi-Analytical Model of the Junctionless Nanowire Field-Eect Transistor | E. Gnani; S. Reggiani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2011 | s.n | 4.02 Riassunto (Abstract) | - | |
| 20 | A Reconfigurable Impedance Matching Network Employing RF-MEMS Switches | M. Bedani; F. Carozza; R. Gaddi; A. Gnudi; B. Margesin; F. Giacomozzi | 2007 | EDA Publishing | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
Dettaglio
GNUDI, ANTONIO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
Docenti di ruolo di IIa fascia
A. Gnudi; ANTONIO GNUDI; A. Gundi; GNUDI A.
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