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EnglishGNANI, ELENA
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Vertical-Si-Nanowire-Based Nonvolatile Memory Devices With Improved Performance and Reduced Process Complexity | Y. Sun; H.Y. Yu; N. Singh; K.C. Leong; E. Gnani; G. Baccarani; G.Q. Lo; D.L. Kwong | 2011 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 2 | Unified model for low-field mobility in bulk and SOI-MOSFETs with different substrate orientations and its application to quantum drift-diffusion simulation | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2008 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 3 | Total ionizing dose effects in si-based tunnel FETs | Ding, Lili; Gnani, Elena; Gerardin, Simone; Bagatin, Marta; Driussi, Francesco; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Royer, Cyrille Le; Paccagnella, Alessandro | 2014 | IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1.01 Articolo in rivista | |
| 4 | Tight-binding and effective mass modeling of armchair carbon nanoribbon FETs | R. Grassi; S. Poli; E Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani | 2009 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 5 | Tight-binding and effective mass modeling of armchair carbon nanoribbon FETs | R. Grassi; S. Poli; E Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani | 2008 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 6 | Theory of the Junctionless UTB SOI-FET | Elena Gnani; Antonio Gnudi; Susanna Reggiani; Giorgio Baccarani | 2012 | s.n | 4.02 Riassunto (Abstract) | |
| 7 | Theory of the Junctionless Nanowire FET | E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani | 2011 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 8 | Theory and experimental validation of a new analytical model for the position-dependent Hall Voltage in devices with arbitrary aspect ratio | Rudan M.; Reggiani S.; Gnani E.; Baccarani G.; Corvasce C.; Barlini D.; Ciappa M.; Fichtner W.; Denison M.; Jensen N.; Groos G.; Stecher M. | 2006 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | |
| 9 | Theoretical foundations of the quantum drift-diffusion and density-gradient models | G. Baccarani; E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; M. Rudan | 2008 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 10 | Theoretical foundations of the quantum drift-diffusion and density-gradient models | G. Baccarani; E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; M. Rudan | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 11 | Theoretical Analysis of the Vertical LOCOS DMOS Transistor with Process-Induced Stress Enhancement | S. Reggiani; M. Denison; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; S. Pendharkar; R. Wise | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 12 | Theoretical Analysis of the Vertical LOCOS DMOS Transistor with Process-Induced Stress Enhancement | S. Reggiani; M. Denison; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; S. Pendharkar; R. Wise | 2010 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 13 | Theoretical analysis and modeling for nanoelectronics | Baccarani, Giorgio; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Reggiani, Susanna | 2016 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | |
| 14 | Theoretical analyses and modeling for nanoelectronics | Baccarani, G.; Baravelli, E.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S. | 2015 | IEEE Computer Society | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 15 | Theoretical analyses and modeling for nanoelectronics | Baccarani, G.; Baravelli, E.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S. | 2015 | PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE | Editions Frontieres | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
| 16 | The R-Sigma Approach to Tunneling in Nanoscale Devices | M. Rudan; A. Marchi; R. Brunetti; S. Reggiani; E. Gnani | 2006 | Springer | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 17 | The R-Sigma Approach to Tunneling in Nanoscale Devices | M. Rudan; A. Marchi; R. Brunetti; S. Reggiani; E. Gnani | 2005 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 18 | The density-gradient correction as a disguised pilot wave of de Broglie | M. RUDAN; E. GNANI; S. REGGIANI; G. BACCARANI | 2004 | Springer | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 19 | TFET-based inverter performance in the presence of traps and localized strain | Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Baccarani, G.; Visciarelli, M. | 2018 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | |
| 20 | TFET Inverters With n-/p-Devices on the Same Technology Platform for Low-Voltage/Low-Power Applications | Emanuele, Baravelli; Elena, Gnani; Antonio, Gnudi; Susanna, Reggiani; Giorgio, Baccarani | 2014 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista |
Nome completo:
GNANI, ELENA
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