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ItalianoSILVESTRI, LUCA
Pubblicazioni
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | A comparison of advanced transport models for the computation of the drain current in nanoscale nMOSFETs | P. Palestri; C. Alexander; A. Asenov; V. Aubry-Fortuna; G. Baccarani; A. Bournel; M. Braccioli; B.... Cheng; P. Dollfus; A. Esposito; D. Esseni; C. Fenouillet-Beranger; C. Fiegna; G. Fiori; A. Ghetti; G. Iannaccone; A. Martinez; B. Majkusiak; S. Monfray; V. Peikert; S. Reggiani; C. Riddet; J. Saint-Martin; E. Sangiorgi; A. Schenk; L. Selmi; L. Silvestri; P. Toniutti; J. Walczak | 2009 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 2 | A Low-Field Mobility Model for Bulk and Ultrathin-Body SOI p-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani. | 2010 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 3 | A Low-Field Mobility Model for Bulk, Ultrathin Body SOI and Double-Gate n-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations—Part I: Fundamental Principles | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2010 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 4 | A Low-Field Mobility Model for Bulk, Ultrathin Body SOI and Double-Gate n-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations—Part II: Ultrathin Silicon Films | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2010 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 5 | Comparison of Advanced Transport Models for Nanoscale nMOSFETs | P. Palestri; C. Alexander; A. Asenov; G. Baccarani; A. Bournel; M. Braccioli; B. Cheng; P. Dollfu...s; A. Esposito; D. Esseni; A. Ghetti; C. Fiegna; G. Fiori; V. Aubry-Fortuna; G. Iannaccone; A. Martinez; B. Majkusiak; S. Monfray; S. Reggiani; C. Riddet; J. Saint-Martin; E. Sangiorgi; A. Schenk; L. Selmi; L. Silvestri; J. Walczak | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 6 | Drain current computation in nanoscale nMOSFETs: Comparison of transport models | Sangiorgi E.; Alexander C.; Asenov A.; Aubry-Fortuna V.; Baccarani G.; Bournel A.; Braccioli M.; ...Cheng B.; Dollfus P.; Esposito A.; Esseni D.; Fenouillet-Beranger C.; Fiegna C.; Fiori G.; Ghetti A.; Iannaccone G.; Martinez A.; Majkusiak B.; Monfray S.; Palestri P.; Peikert V.; Reggiani S.; Riddet C.; Saint-Martin J.; Schenk A.; Selmi L.; Silvestri L.; Toniutti P.; Walczak J.; | 2010 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 7 | Effects of channel orientation, high-k gate stacks and stress on UTB-FETs: a QDD simulation study | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; M. Rudan; G.Baccarani | 2008 | IEEE Press | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 8 | High Gain and Fast Detection of Warfare Agents Using Back-Gated Silicon-Nanowired MOSFETs | V. Passi; F. Ravaux; E. Dubois; S. Clavaguera; A. Carella; C. Celle; J. Simonato; L. Silvestri; S.... Reggiani; D. Vuillaume; J. Raskin | 2011 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 9 | Mobility Model for Electrons and Holes in FinFETs with High-k Stacks, Metal Gate and Stress | L. Silvestri; S. Reggiani; A. Gnudi; E. Gnani; G. Baccarani. | 2010 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 10 | Physically-based unified compact model for low-field carrier mobility in MOSFETs with different gate stacks and biaxial/uniaxial stress conditions | S. Reggiani; L. Silvestri; A. Cacciatori; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 11 | Unified model for low-field mobility in bulk and SOI-MOSFETs with different substrate orientations and its application to quantum drift-diffusion simulation | L. Silvestri; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani | 2008 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
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SILVESTRI, LUCA
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