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ItalianoGRASSI, ROBERTO
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GRASSI, ROBERTO
Pubblicazioni
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | An investigation of performance limits of conventional and tunneling graphene-based transist | R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani | 2009 | JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 2 | Boosting the voltage gain of graphene FETs through a differential amplifier scheme with positive feedback | R. Grassi; A. Gnudi; V. Di Lecce; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani | 2014 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 3 | Carbon-based Nanoelectronic Devices for High-Performance Logic Applications | R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani | 2008 | CLEUP | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 4 | Complementary n- and p-type TFETs on the same InAs/Al(0.05)Ga(0.95)Sb platform | E. Baravelli;E. Gnani;R. Grassi;A. Gnudi;S. Reggiani;G. Baccarani | 2013 | IEEE Computer Society | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 5 | Comprehensive comparison and experimental validation of band-structure calculation methods in III-V semiconductor quantum wells | Zerveas, George; Caruso, Enrico; Baccarani, Giorgio; Czornomaz, Lukas; Daix, Nicolas; Esseni, Dav...id; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Grassi, Roberto; Luisier, Mathieu; Markussen, Troels; Osgnach, Patrik; Palestri, Pierpaolo; Schenk, Andreas; Selmi, Luca; Sousa, Marilyne; Stokbro, Kurt; Visciarelli, Michele | 2016 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | ||
| 6 | Contact-induced negative differential resistance in short-channel graphene FETs | Grassi, Roberto; Low, Tony; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio | 2013 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 7 | DC and small-signal numerical simulation of graphene base transistor for terahertz operation | DI LECCE, Valerio; Grassi, Roberto; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, G...iorgio | 2013 | IEEE Computer Society | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 8 | Efficient quantum mechanical simulation of band-to-band tunneling | Alper, Cem; Palestri, Pierpaolo; Padilla, Jose L.; Gnudi, Antonio; Grassi, Roberto; Gnani, Elena;... Luisier, Mathieu; Ionescu, Adrian M. | 2015 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 9 | Exploiting Negative Differential Resistance in Monolayer Graphene FETs for High Voltage Gains | Roberto, Grassi; Antonio, Gnudi; Valerio Di, Lecce; Elena, Gnani; Susanna, Reggiani; Giorgio, Bac...carani | 2014 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 10 | Full-Quantum Calculations of Low-Field Channel Mobility in Graphene Nanoribbon FETs Including Acoustic Phonon Scattering and Edge Roughness Effects | I. Imperiale; R. Grassi; A. Gnudi; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani. | 2010 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 11 | Graphene base heterojunction transistor: An explorative study on device potential, optimization, and base parasitics | Di Lecce, Valerio; Grassi, Roberto; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, G...iorgio | 2015 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 12 | Graphene Base Transistors: A Simulation Study of DC and Small-Signal Operation | Valerio Di Lecce;Roberto Grassi;Antonio Gnudi;Elena Gnani;Susanna Reggiani;Giorgio Baccarani | 2013 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 13 | Graphene Nanoribbon FETs for High-Performance Logic Applications: Perspectives and Challenges | R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani | 2008 | IEEE Press | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 14 | Graphene-Base Heterojunction Transistor: An Attractive Device for Terahertz Operation | Valerio Di Lecce;Roberto Grassi;Antonio Gnudi;Elena Gnani;Susanna Reggiani;Giorgio Baccarani | 2013 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 15 | Graphene-Based High-Performance Nanoelectronic Devices | R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 16 | Hierarchical modeling of carbon nanoribbon devices for CNR-FETs engineering | R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Cinacchi; G. Baccarani | 2008 | IEEE Press | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 17 | Impact of crystallographic orientation and impurity scattering in Graphene-Base Heterojunction Transistors for Terahertz Operation | Valerio, Di Lecce; Roberto, Grassi; Antonio, Gnudi; Elena, Gnani; Susanna, Reggiani; Giorgio, Bac...carani | 2014 | Bez, R; Pavan, P; Meneghesso, G; | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 18 | Investigation on the electrical properties of superlattice FETs using a non-parabolic band model | Maiorano, P.; Gnani, E.; Grassi, R.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Baccarani, G. | 2014 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 19 | Mode Space Approach for Tight-Binding Transport Simulation in Graphene Nanoribbon FETs | R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 20 | Mode Space Approach for Tight-Binding Transport Simulation in Graphene Nanoribbon FETs | R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani | 2011 | IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY | 1.01 Articolo in rivista | - |
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