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EnglishThrough self-consistent quantum transport simulations, we evaluate the RF performance of monolayer graphene field-effect transistors in the bias region of negative output differential resistance. We show that, compared with the region of quasi-saturation, a voltage gain larger than 10 can be obtained, at the cost of a decrease in the maximum oscillation frequency of about a factor of 1.5-3 and the need for a careful circuit stabilization.
| Titolo: | Exploiting Negative Differential Resistance in Monolayer Graphene FETs for High Voltage Gains | |
| Autore/i: | GRASSI, ROBERTO; GNUDI, ANTONIO; Valerio Di, Lecce; GNANI, ELENA; REGGIANI, SUSANNA; BACCARANI, GIORGIO | |
| Autore/i Unibo: | ||
| Anno: | 2014 | |
| Rivista: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2013.2294113 | |
| Abstract: | Through self-consistent quantum transport simulations, we evaluate the RF performance of monolayer graphene field-effect transistors in the bias region of negative output differential resistance. We show that, compared with the region of quasi-saturation, a voltage gain larger than 10 can be obtained, at the cost of a decrease in the maximum oscillation frequency of about a factor of 1.5-3 and the need for a careful circuit stabilization. | |
| Data stato definitivo: | 2015-11-30T11:23:23Z | |
| Appare nelle tipologie: | 1.01 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11585/364115
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