Modeling approaches for band-structure calculation in III-V FET quantum wells / Caruso, Enrico; Zerveas, G.; Baccarani, Giorgio; Czornomaz, L.; Daix, N.; Esseni, David; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Grassi, Roberto; Luisier, M.; Markussen, T.; Palestri, P.; Schenk, A.; Selmi, L.; Sousa, M.; Stokbro, K.; Visciarelli, Michele. - ELETTRONICO. - (2015), pp. 7063783.101-7063783.104. (Intervento presentato al convegno 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS 2015 tenutosi a ita nel 2015) [10.1109/ULIS.2015.7063783].
Modeling approaches for band-structure calculation in III-V FET quantum wells
CARUSO, ENRICO;BACCARANI, GIORGIO;ESSENI, DAVID;GNANI, ELENA;GNUDI, ANTONIO;GRASSI, ROBERTO;VISCIARELLI, MICHELE
2015
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
