GIULIANO, FEDERICO
GIULIANO, FEDERICO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
Breakdown-Voltage Degradation Under AC Stress of Thick SiO2 Capacitors for Galvanic Insulation
2023 Giuliano, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Rossetti, Mattia; Depetro, Riccardo
Characterization and numerical analysis of breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors
2022 Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G.
Constant-current time dependent dielectric breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors
2021 Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G.
Novel TCAD Approach for the Investigation of Charge Transport in Thick Amorphous SiO2 Insulators
2021 Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G.
TCAD simulation of hot-carrier stress degradation in split-gate n-channel STI-LDMOS transistors
2020 Giuliano F.; Magnone P.; Pistollato S.; Tallarico A.N.; Reggiani S.; Fiegna C.; Depetro R.; Rossetti M.; Croce G.
TCAD predictions of hot-electron injection in p-type LDMOS transistors
2019 F. Giuliano, A. N. Tallarico, S. Reggiani, A. Gnudi, E. Sangiorgi, C. Fiegna, M. Rossetti, A. Molfese, S. Manzini, R. Depetro, G. Croce
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Breakdown-Voltage Degradation Under AC Stress of Thick SiO2 Capacitors for Galvanic Insulation | Giuliano, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Rossetti, Mattia; Depetro, R...iccardo | 2023-01-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| Characterization and numerical analysis of breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors | Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G. | 2022-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| Constant-current time dependent dielectric breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors | Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G. | 2021-01-01 | - | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Novel TCAD Approach for the Investigation of Charge Transport in Thick Amorphous SiO2 Insulators | Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G. | 2021-01-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | 1.01 Articolo in rivista | Teos_Oxide_Modeling_merged POST PRINT.pdf |
| TCAD simulation of hot-carrier stress degradation in split-gate n-channel STI-LDMOS transistors | Giuliano F.; Magnone P.; Pistollato S.; Tallarico A.N.; Reggiani S.; Fiegna C.; Depetro R.; Rosse...tti M.; Croce G. | 2020-01-01 | MICROELECTRONICS RELIABILITY | - | 1.01 Articolo in rivista | TCAD simulation POST PRINT.pdf |
| TCAD predictions of hot-electron injection in p-type LDMOS transistors | F. Giuliano, A. N. Tallarico, S. Reggiani, A. Gnudi, E. Sangiorgi, C. Fiegna, M. Rossetti, A. Mol...fese, S. Manzini, R. Depetro, G. Croce | 2019-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |