In this paper we extend a previously developed BTE solver to investigate the effect of SR on i) electron mobility in the infinitely long channel of cylindrical nanowire FETs, ii) current characteristics of cylindrical SNW-FETs with decananometer gate lengths.

Semiclassical transport in silicon cylindrical nanowire FETs including surface roughness

LENZI, MARCO;GNUDI, ANTONIO;REGGIANI, SUSANNA;GNANI, ELENA;RUDAN, MASSIMO;BACCARANI, GIORGIO
2007

Abstract

In this paper we extend a previously developed BTE solver to investigate the effect of SR on i) electron mobility in the infinitely long channel of cylindrical nanowire FETs, ii) current characteristics of cylindrical SNW-FETs with decananometer gate lengths.
Abstracts of the 12th International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
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M. Lenzi; A. Gnudi; S. Reggiani; E. Gnani; M. Rudan; G. Baccarani
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