BETTI BENEVENTI, GIOVANNI

BETTI BENEVENTI, GIOVANNI  

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Analytical model of thin-body InGaAs-on-InP MOSFET low-field electron mobility for integration in TCAD tools Betti Beneventi, Giovanni; Reggiani, Susanna; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Aliane, Alireza; Coll...aert, Nadine; Mocuta, Anda; Thean, Aaron; Baccarani, Giorgio 2015-01-01 - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Boosting InAs TFET on-current above 1 mA/um with no leakage penalty BETTI BENEVENTI, Giovanni; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Reggiani, Susanna; Baccarani, Giorgio 2013-01-01 - IEEE Computer Society 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Can Interface Traps Suppress TFET Ambipolarity? Giovanni Betti Beneventi;Elena Gnani;Antonio Gnudi;Susanna Reggiani;Giorgio Baccarani 2013-01-01 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - 1.01 Articolo in rivista -
Dual-Metal-Gate InAs Tunnel FET With Enhanced Turn-On Steepness and High On-Current Giovanni Betti Beneventi; Elena Gnani; Antonio Gnudi; Susanna Reggiani; Giorgio Baccarani 2014-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -
Optimization of a Pocketed Dual-Metal-Gate TFET by Means of TCAD Simulations Accounting for Quantization-Induced Bandgap Widening Betti Beneventi, Giovanni; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Reggiani, Susanna; Baccarani, Giorgio 2015-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista PP Optimization_of_a_Pocketed_Dual.pdf
A TCAD Low-Field Electron Mobility Model for Thin-Body InGaAs on InP MOSFETs Calibrated on Experimental Characteristics Betti Beneventi, Giovanni; Reggiani, Susanna; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Alian, Alireza; Colla...ert, Nadine; Mocuta, Anda; Thean, Aaron; Baccarani, Giorgio 2015-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -