GIULIANO, FEDERICO
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 333
AS - Asia 260
EU - Europa 239
AF - Africa 31
SA - Sud America 15
Totale 878
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 330
IT - Italia 115
SG - Singapore 94
CN - Cina 74
DE - Germania 45
HK - Hong Kong 28
RU - Federazione Russa 19
CI - Costa d'Avorio 17
KR - Corea 17
FR - Francia 16
IN - India 15
GB - Regno Unito 12
BR - Brasile 11
SE - Svezia 10
PK - Pakistan 8
VN - Vietnam 8
SC - Seychelles 7
NL - Olanda 6
TW - Taiwan 6
FI - Finlandia 5
TG - Togo 5
AR - Argentina 4
IE - Irlanda 4
ID - Indonesia 3
JP - Giappone 3
PL - Polonia 3
AT - Austria 2
CA - Canada 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
BD - Bangladesh 1
DO - Repubblica Dominicana 1
ES - Italia 1
IQ - Iraq 1
NG - Nigeria 1
NP - Nepal 1
UA - Ucraina 1
ZA - Sudafrica 1
Totale 878
Città #
Ann Arbor 85
Singapore 69
Ashburn 35
Bologna 29
Hong Kong 25
Santa Clara 25
Hefei 24
Redmond 24
Chandler 23
Abidjan 17
Munich 16
Dallas 14
Milan 13
Seoul 12
Florence 11
Beijing 10
Cesena 10
Princeton 8
Southend 8
Houston 7
Vallefoglia 7
Wilmington 7
Boardman 6
Frankfurt am Main 6
Bucheon-si 5
Lomé 5
New York 5
Rahim Yar Khan 5
Dublin 4
Fairfield 4
Genova 4
Helsinki 4
Los Angeles 4
Rimini 4
Taipei 4
Woodbridge 4
Boydton 3
Buffalo 3
Cambridge 3
Hanoi 3
Nuremberg 3
Redondo Beach 3
Shatin 3
Tokyo 3
Warsaw 3
Washington 3
Bengaluru 2
Bromma 2
Busalla 2
Changsha 2
Chennai 2
Ferrara di Monte Baldo 2
London 2
Marseille 2
Medford 2
Nürnberg 2
Ravenna 2
Rawalpindi 2
Ribeirão Preto 2
Roorkee 2
San Diego 2
Toronto 2
Turin 2
Vignola 2
Wallingford 2
Zhengzhou 2
Aprilia 1
Bagnacavallo 1
Belo Horizonte 1
Berlin 1
Brooklyn 1
Bühl 1
Campina Grande 1
Castel Maggiore 1
Cervia 1
Cesenatico 1
Chelyabinsk 1
Chiavari 1
Chicago 1
Chongqing 1
Des Moines 1
Dubai 1
Faisalabad 1
Falkenstein 1
Flores da Cunha 1
Forlì 1
Fort Worth 1
Fremont 1
Gaomi 1
Gatchina 1
Guarujá 1
Heishan 1
Ho Chi Minh City 1
Ituporanga 1
Ituzaingó 1
Jakarta 1
Jember 1
Jianning 1
Jiaxing 1
Johannesburg 1
Totale 647
Nome #
TCAD simulation of hot-carrier stress degradation in split-gate n-channel STI-LDMOS transistors 198
TCAD predictions of hot-electron injection in p-type LDMOS transistors 171
Breakdown-Voltage Degradation Under AC Stress of Thick SiO2 Capacitors for Galvanic Insulation 160
Novel TCAD Approach for the Investigation of Charge Transport in Thick Amorphous SiO2 Insulators 138
Constant-current time dependent dielectric breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors 127
Characterization and numerical analysis of breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors 117
Totale 911
Categoria #
all - tutte 2.765
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 2.765


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/202144 0 0 0 0 0 12 8 3 5 5 2 9
2021/2022169 3 4 14 12 16 11 12 33 30 6 15 13
2022/2023159 8 4 13 25 7 29 8 15 26 11 8 5
2023/202460 0 11 10 4 4 9 4 4 4 3 6 1
2024/2025234 12 11 10 29 37 4 32 11 10 15 19 44
2025/2026221 41 33 41 37 47 22 0 0 0 0 0 0
Totale 911