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TCAD predictions of hot-electron injection in p-type LDMOS transistors
2019 F. Giuliano, A. N. Tallarico, S. Reggiani, A. Gnudi, E. Sangiorgi, C. Fiegna, M. Rossetti, A. Molfese, S. Manzini, R. Depetro, G. Croce
TCAD simulation of hot-carrier stress degradation in split-gate n-channel STI-LDMOS transistors
2020 Giuliano F.; Magnone P.; Pistollato S.; Tallarico A.N.; Reggiani S.; Fiegna C.; Depetro R.; Rossetti M.; Croce G.
Constant-current time dependent dielectric breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors
2021 Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G.
Novel TCAD Approach for the Investigation of Charge Transport in Thick Amorphous SiO2 Insulators
2021 Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G.
Thickness-dependent dielectric breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors
2022 Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.
Characterization and numerical analysis of breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors
2022 Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G.
Breakdown-Voltage Degradation Under AC Stress of Thick SiO2 Capacitors for Galvanic Insulation
2023 Giuliano, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Rossetti, Mattia; Depetro, Riccardo
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TCAD predictions of hot-electron injection in p-type LDMOS transistors | F. Giuliano, A. N. Tallarico, S. Reggiani, A. Gnudi, E. Sangiorgi, C. Fiegna, M. Rossetti, A. Mol...fese, S. Manzini, R. Depetro, G. Croce | 2019-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| TCAD simulation of hot-carrier stress degradation in split-gate n-channel STI-LDMOS transistors | Giuliano F.; Magnone P.; Pistollato S.; Tallarico A.N.; Reggiani S.; Fiegna C.; Depetro R.; Rosse...tti M.; Croce G. | 2020-01-01 | MICROELECTRONICS RELIABILITY | - | 1.01 Articolo in rivista | TCAD simulation POST PRINT.pdf |
| Constant-current time dependent dielectric breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors | Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G. | 2021-01-01 | - | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Novel TCAD Approach for the Investigation of Charge Transport in Thick Amorphous SiO2 Insulators | Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G. | 2021-01-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | 1.01 Articolo in rivista | Teos_Oxide_Modeling_merged POST PRINT.pdf |
| Thickness-dependent dielectric breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors | Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R. | 2022-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| Characterization and numerical analysis of breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors | Giuliano F.; Reggiani S.; Gnani E.; Gnudi A.; Rossetti M.; Depetro R.; Croce G. | 2022-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| Breakdown-Voltage Degradation Under AC Stress of Thick SiO2 Capacitors for Galvanic Insulation | Giuliano, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Rossetti, Mattia; Depetro, R...iccardo | 2023-01-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
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