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EnglishA TCAD-based approach has been used to investigate the leakage current and breakdown regime of vertical GaN/AlGaN/Si structures at different ambient temperatures. A good agreement with experimental data has been obtained by implementing both trap-assisted and Poole-Frenkel conduction mechanisms into the buffer layers. The latter mechanisms have been proven to anticipate the onset of breakdown at high temperatures.
| Titolo: | Leakage current and breakdown of GaN-on-Silicon vertical structures | |
| Autore/i: | CORNIGLI, DAVIDE; Monti, F.; REGGIANI, SUSANNA; GNANI, ELENA; GNUDI, ANTONIO; BACCARANI, GIORGIO | |
| Autore/i Unibo: | ||
| Anno: | 2015 | |
| Titolo del libro: | EUROSOI-ULIS 2015 - 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon | |
| Pagina iniziale: | 25 | |
| Pagina finale: | 28 | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/ULIS.2015.7063764 | |
| Abstract: | A TCAD-based approach has been used to investigate the leakage current and breakdown regime of vertical GaN/AlGaN/Si structures at different ambient temperatures. A good agreement with experimental data has been obtained by implementing both trap-assisted and Poole-Frenkel conduction mechanisms into the buffer layers. The latter mechanisms have been proven to anticipate the onset of breakdown at high temperatures. | |
| Data stato definitivo: | 30-nov-2015 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/11585/521275
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