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EnglishThe impact-ionization coefficient at high fields is derived in terms of the electric field E and lattice temperature TL, without introducing a priori relations among the parameters. An asymptotic analysis leads to simplifications that validate closed-form expressions of the impact-ionization coefficient. The role of the relaxation times in determining the slope is discussed, along with the meaning of the critical field.
| Titolo: | Impact-Ionization Coefficient in Silicon at High Fields – A Parametric Approach | |
| Autore/i: | RUDAN, MASSIMO; R. Katilius; REGGIANI, SUSANNA; GNANI, ELENA; BACCARANI, GIORGIO | |
| Autore/i Unibo: | ||
| Anno: | 2007 | |
| Titolo del libro: | Abstracts of the 12th International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12) | |
| Pagina iniziale: | 1 | |
| Pagina finale: | 2 | |
| Abstract: | The impact-ionization coefficient at high fields is derived in terms of the electric field E and lattice temperature TL, without introducing a priori relations among the parameters. An asymptotic analysis leads to simplifications that validate closed-form expressions of the impact-ionization coefficient. The role of the relaxation times in determining the slope is discussed, along with the meaning of the critical field. | |
| Data prodotto definitivo in UGOV: | 6-dic-2007 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
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