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EnglishExperimental validation of a new analytical model for the position-dependent Hall voltage in semiconductor devices / M. Rudan; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani; C. Corvasce; D. Barlini; M. Ciappa; W. Fichtner; M. Denison; N. Jensen; G. Groos; M. Stecher. - STAMPA. - (2005). ((Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Grenoble nel 13-15 Settembre 2005.
| Titolo: | Experimental validation of a new analytical model for the position-dependent Hall voltage in semiconductor devices |
| Autore/i: | RUDAN, MASSIMO; REGGIANI, SUSANNA; GNANI, ELENA; BACCARANI, GIORGIO; C. Corvasce; D. Barlini; M. Ciappa; W. Fichtner; M. Denison; N. Jensen; G. Groos; M. Stecher |
| Autore/i Unibo: | |
| Anno: | 2005 |
| Titolo del libro: | Proceedings of ESSDERC 2005 |
| Data prodotto definitivo in UGOV: | 12-ott-2005 |
| Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
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