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ItalianoRUDAN, MASSIMO
Dettaglio
RUDAN, MASSIMO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
Pubblicazioni
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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 15th International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices | G. Baccarani; M. Rudan | 2010 | IEEE | 3.01 Monografia / trattato scientifico in forma di libro | - | |
| 2 | 3D simulation of quantum-wire confining potential for a GaAs/AlGaAs 2DEG heterostructure | A. Marchi; A. Bertoni; S. Reggiani; M. Rudan | 2004 | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 3 | A 5th-order method for 1D-device solution | Fabrizio Buscemi; Massimo Rudan; Enrico Piccinini; Rossella Brunetti | 2014 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 4 | A Coherent Extension of the Transport Equations in Semiconductors Incorporating the Quantum Correction: Part I – Single Particle Dynamics | M. RUDAN; E. GNANI; S. REGGIANI; G. BACCARANI | 2005 | IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 5 | A Coherent Extension of the Transport Equations in Semiconductors Incorporating the Quantum Correction: Part II – Collective Transport | M. RUDAN; E. GNANI; S. REGGIANI; BACCARANI G. | 2005 | IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 6 | A deterministic solution of the Boltzmann transport equation for a one-dimensional electron gas in silicon nanowires | M. Lenzi; E. Gnani; S. Reggiani; A. Gnudi; M. Rudan; G. Baccarani | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 7 | A Method for Determining the Screening Length of the Coulombic Scattering in Non-Degenerate and Degenerate Semiconductors | M. Rudan; G. Perroni | 2004 | Springer | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 8 | A Model for Charge Transport in Amorphous GST Based on a Modified Variable-Range Hopping Process | Buscemi F.; Piccinini E.; Brunetti R.; Rudan M.; Jacoboni C. | 2009 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 9 | A new approach to the self-consistent solution of the Schroedinger-Poisson Equations in nanowire MOSFETs | E. Gnani; S. Reggiani; M. Rudan; G. Baccarani | 2004 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 10 | A New Hopping Model for Transport in Chalcogenide Glasses | Rudan M.; Giovanardi F.; Piccinini E.; Buscemi F.; Brunetti R.; Jacoboni C. | 2009 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 11 | A new numerical and experimental analysis tool for ESD devices by means of the transient interferometric technique | S. Reggiani; E. Gnani; M. Rudan; G. Baccarani; S. Bychikhin; J. Kuzmik; D. Pogany; E. Gornik; M. ...Denison; N. Jensen; G. Groos; M. Stecher | 2005 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 12 | A new solution method of the 1D open-boundary Schrödinger equation for transport in NW-FETs including band effects | E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; M. Rudan; G. Baccarani | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 13 | A quantum mechanical analysis of the electrostatics in multiple-gate FETs | E. Gnani; S. Reggiani; M. Rudan; G. Baccarani | 2005 | IEEE EDS Japan Chapter | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 14 | A Schroedinger-Poisson Solution of CNT-FET Arrays | A. Marchi; S. Reggiani; M. Rudan | 2005 | IEEE EDS Japan Chapter | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 15 | A simulative method for the analysis of conduction properties of ion channels based on first-principle approaches | AFFINITO F.; BIGIANI A.; BRUNETTI R.; CARLONI P.; JACOBONI C.; PICCININI E.; RUDAN M. | 2004 | IEEE | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 16 | A Simulative Model for the Analysis of Conduction Properties of Ion Channels Based on First-Principle Approaches | F. AFFINITO; A. BIGIANI; R. BRUNETTI; P. CARLONI; C. JACOBONI; E. PICCININI; M. RUDAN | 2005 | JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 17 | Adaptive K-NN for the detection of air pollutants with a sensor array | RONCAGLIA A.; ELMI I.; DORI L.; RUDAN M. | 2004 | IEEE SENSORS JOURNAL | 1.01 Articolo in rivista | - | |
| 18 | Automatic Optimization Algorithm for a Direct 2D and 3D Mesh Generation from the Layout Information | E. Gnani; F. Ghidoni; M. Rudan | 2004 | Springer | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 19 | Band Calculation for the Hexagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 | E. Piccinini; F. Buscemi; T. Tsafack; R. Brunetti; M. Rudan; C. Jacoboni | 2008 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - | |
| 20 | Band Structure Effects on the Current-Voltage Characteristics of SNW-FETs | E. Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; M. Rudan; G. Baccarani | 2007 | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
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