In this work we examine and validate a recently-published model for the junctionless (JL) nanowire FET with cylindrical geometry by carrying out extensive comparisons with TCAD simulation results over a wide range of impurity concentrations and device diameters.

A Quasi-Analytical Model of the Junctionless Nanowire Field-Eect Transistor

GNANI, ELENA;REGGIANI, SUSANNA;GNUDI, ANTONIO;BACCARANI, GIORGIO
2011

Abstract

In this work we examine and validate a recently-published model for the junctionless (JL) nanowire FET with cylindrical geometry by carrying out extensive comparisons with TCAD simulation results over a wide range of impurity concentrations and device diameters.
Proc. of the International Semiconductor Device Research Symposium 2011 (ISDRS 2011)
1
2
E. Gnani; S. Reggiani; A. Gnudi; G. Baccarani
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