DI LECCE, VALERIO

DI LECCE, VALERIO  

CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO"  

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Boosting the voltage gain of graphene FETs through a differential amplifier scheme with positive feedback R. Grassi; A. Gnudi; V. Di Lecce; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2014-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
DC and small-signal numerical simulation of graphene base transistor for terahertz operation DI LECCE, Valerio; Grassi, Roberto; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, G...iorgio 2013-01-01 - IEEE Computer Society 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Going ballistic: Graphene hot electron transistors Vaziri, S.; Smith, A.D.; Östling, M.; Lupina, G.; Dabrowski, J.; Lippert, G.; Mehr, W.; Driussi, ...F.; Venica, S.; Di Lecce, V.; Gnudi, A.; König, M.; Ruhl, G.; Belete, M.; Lemme, M.C 2015-01-01 SOLID STATE COMMUNICATIONS - 1.01 Articolo in rivista PP Going ballistic.pdf
Graphene base heterojunction transistor: An explorative study on device potential, optimization, and base parasitics Di Lecce, Valerio; Grassi, Roberto; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, G...iorgio 2015-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Graphene Base Transistors: A Simulation Study of DC and Small-Signal Operation Valerio Di Lecce;Roberto Grassi;Antonio Gnudi;Elena Gnani;Susanna Reggiani;Giorgio Baccarani 2013-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -
Graphene-Base Heterojunction Transistor: An Attractive Device for Terahertz Operation Valerio Di Lecce;Roberto Grassi;Antonio Gnudi;Elena Gnani;Susanna Reggiani;Giorgio Baccarani 2013-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -
Graphene-base heterojunction transistors for post-CMOS high-speed applications: Hopes and challenges Di Lecce, Valerio; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, Giorgio 2015-01-01 - - 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Impact of crystallographic orientation and impurity scattering in Graphene-Base Heterojunction Transistors for Terahertz Operation Valerio, Di Lecce; Roberto, Grassi; Antonio, Gnudi; Elena, Gnani; Susanna, Reggiani; Giorgio, Bac...carani 2014-01-01 - Bez, R; Pavan, P; Meneghesso, G; 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Semianalytical quantum model for graphene field-effect transistors Pugnaghi, Claudio; Grassi, Roberto; Gnudi, Antonio; Di Lecce, Valerio; Gnani, Elena; Reggiani, Su...sanna; Baccarani, Giorgio 2014-01-01 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS - 1.01 Articolo in rivista -
Simulation of graphene base transistors with bilayer tunnel oxide barrier: Model calibration and performance projection Di Lecce, Valerio; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, Giorgio 2016-01-01 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - 1.01 Articolo in rivista -
Simulations of Graphene Base Transistors with Improved Graphene Interface Model Di Lecce, Valerio; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, Giorgio 2015-01-01 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - 1.01 Articolo in rivista -