IMPERIALE, ILARIA

IMPERIALE, ILARIA  

Alma Mater Studiorum Universita' di Bologna  

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Titolo Autore(i) Anno Periodico Editore Tipo File
Role of the insulating fillers in the encapsulation material on the lateral charge spreading in HV-ICs Imperiale, Ilaria; Reggiani, Susanna; Pavarese, Giuseppe; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani..., Giorgio; Ahn, Woojin; Alam, Muhammad A.; Varghese, Dhanoop; Hernandez-Luna, Alejandro; Nguyen, Luu; Krishnan, Srikanth 2017-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -
Numerical study of GaN-on-Si HEMT breakdown instability accounting for substrate and packaging interactions Monti, F; Imperiale, I.; Reggiani, S.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Baccarani, G.; Nguyen, L.; Hernandez...-Luna, A.; Huckabee, J.; Tipirneni, N.; Denison, M. 2015-01-01 - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Optimization of HV LDMOS devices accounting for packaging interaction Arienti, G; Imperiale, I.; Reggiani, S.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Baccarani, G.; Nguyen, L.; Hernand...ez-Luna, A.; Huckabee, J.; Denison, M. 2015-01-01 - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Role of encapsulation formulation on charge transport phenomena and HV device instability Imperiale, Ilaria; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Nguyen, L...uu; Hernandez-Luna, Alex; Huckabee, James; Denison, Marie; Varghese, Dhanoop 2015-01-01 - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 4.01 Contributo in Atti di convegno -
TCAD modeling of charge transport in HV-IC encapsulation materials Imperiale, Ilaria; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Nguyen, L....; Denison, M. 2014-01-01 - - 4.01 Contributo in Atti di convegno -
TCAD modeling of encapsulation layer in high-voltage, high-temperature operation regime Imperiale, Ilaria; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Nguyen, L....; Denison, M. 2014-01-01 - - 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Mode space approach for tight-binding transport simulations in graphene nanoribbon field-effect transistors including phonon scattering R. Grassi;A. Gnudi;I. Imperiale;E. Gnani;S. Reggiani;G. Baccarani 2013-01-01 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS - 1.01 Articolo in rivista -
High-frequency analog GNR-FET design criteria I. Imperiale; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2011-01-01 - IEEE Publishing Services 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Computational study of graphene nanoribbon FETs for RF applications I. Imperiale; S. Bonsignore; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2010-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Full-Quantum Calculations of Low-Field Channel Mobility in Graphene Nanoribbon FETs Including Acoustic Phonon Scattering and Edge Roughness Effects I. Imperiale; R. Grassi; A. Gnudi; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani. 2010-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -