Ubaldi F., Pozzi G., Kasama T., McCartney M.R., Newcomb S.B., Dunin-Borkowski R.E. (2010). Interpretation of electron beam induced charging of oxide layers in a transistor studied using electron holography. BRISTOL : IOP Publishing.

Interpretation of electron beam induced charging of oxide layers in a transistor studied using electron holography

UBALDI, FILIPPO;POZZI, GIULIO;
2010

2010
16th. International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials
012064
012064-4
Ubaldi F., Pozzi G., Kasama T., McCartney M.R., Newcomb S.B., Dunin-Borkowski R.E. (2010). Interpretation of electron beam induced charging of oxide layers in a transistor studied using electron holography. BRISTOL : IOP Publishing.
Ubaldi F.; Pozzi G.; Kasama T.; McCartney M.R.; Newcomb S.B.; Dunin-Borkowski R.E.
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/96057
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 9
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 8
social impact