Interpretation of electron beam induced charging of oxide layers in a transistor studied using electron holography / Ubaldi F.; Pozzi G.; Kasama T.; McCartney M.R.; Newcomb S.B.; Dunin-Borkowski R.E.. - STAMPA. - 209:(2010), pp. 012064-012064-4. (Intervento presentato al convegno 16th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials tenutosi a Oxford nel 17-20 Marzo 2009).
Interpretation of electron beam induced charging of oxide layers in a transistor studied using electron holography
UBALDI, FILIPPO;POZZI, GIULIO;
2010
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