Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
CRIS Current Research Information System
This paper presents a detailed analysis of the dependence of performance of c-Si selective emitter solar cells on geometrical parameters and doping profiles. Based on two dimensional drift-diffusion TCAD simulations, we report the effects of the front contact pitch and doping profiles on the most important output parameters of solar cells.
Simulations show that a significant gain in terms of output power of the cell may arise compared to the homogeneous emitter solar cell. We also present an analysis of the main loss mechanisms and trade-offs for this solar cell.
DOI 10.1109/PVSC.2010
2-D numerical simulation and modeling of monocrystalline selective emitter solar cells
This paper presents a detailed analysis of the dependence of performance of c-Si selective emitter solar cells on geometrical parameters and doping profiles. Based on two dimensional drift-diffusion TCAD simulations, we report the effects of the front contact pitch and doping profiles on the most important output parameters of solar cells.
Simulations show that a significant gain in terms of output power of the cell may arise compared to the homogeneous emitter solar cell. We also present an analysis of the main loss mechanisms and trade-offs for this solar cell.
DOI 10.1109/PVSC.2010
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11585/92684
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Citazioni
ND
14
4
social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
