Giuseppe Consentino, E.G. (2019). Threshold Voltage Instability in SiC Power MOSFETs. VDE VERLAG GMBH · Berlin · Offenbach.
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
PCIM19.pdf
accesso riservato
Tipo:
Versione (PDF) editoriale
Licenza:
Licenza per accesso riservato
Dimensione
216.01 kB
Formato
Adobe PDF
|
216.01 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Contatta l'autore |
pdfjoinerPCIM2019.pdf
Open Access dal 23/07/2021
Tipo:
Postprint
Licenza:
Licenza per accesso libero gratuito
Dimensione
1.09 MB
Formato
Adobe PDF
|
1.09 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.