CRIS Current Research Information System

Extensive thermal analysis of SOI MOSFETs designed according the International Roadmap for Semiconductors.

Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation / Y. Yang; C. Fiegna; S. Eminente; A.G. O'Neill; E. Sangiorgi. - STAMPA. - (2007), pp. 59-62. (Intervento presentato al convegno ULIS 2007 tenutosi a Leuven, Belgium nel 15, 16 March 2007).

Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation

FIEGNA, CLAUDIO;EMINENTE, SIMONE;SANGIORGI, ENRICO
2007

Abstract

Extensive thermal analysis of SOI MOSFETs designed according the International Roadmap for Semiconductors.
2007
Proceedings of the 8th International Conference on Ultimate Integration on Silicon
59
62
Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation / Y. Yang; C. Fiegna; S. Eminente; A.G. O'Neill; E. Sangiorgi. - STAMPA. - (2007), pp. 59-62. (Intervento presentato al convegno ULIS 2007 tenutosi a Leuven, Belgium nel 15, 16 March 2007).
Y. Yang; C. Fiegna; S. Eminente; A.G. O'Neill; E. Sangiorgi
4.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/46093
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact