CRIS Current Research Information System

Extensive thermal analysis of SOI MOSFETs designed according the International Roadmap for Semiconductors.

Y. Yang, C. Fiegna, S. Eminente, A.G. O'Neill, E. Sangiorgi (2007). Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation. s.l : s.n.

Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation

FIEGNA, CLAUDIO;EMINENTE, SIMONE;SANGIORGI, ENRICO
2007

Abstract

Extensive thermal analysis of SOI MOSFETs designed according the International Roadmap for Semiconductors.
2007
Proceedings of the 8th International Conference on Ultimate Integration on Silicon
59
62
Y. Yang, C. Fiegna, S. Eminente, A.G. O'Neill, E. Sangiorgi (2007). Thermal analysis of nanoscale MOSFETs by 2D electro-thermal simulation. s.l : s.n.
Y. Yang; C. Fiegna; S. Eminente; A.G. O'Neill; E. Sangiorgi
4.01 Contributo in Atti di convegno
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