Ballistic effects in advanced MOSFETs along the Roadmap / E. Sangiorgi; P. Palestri; S. Eminente; D. Esseni; C. Fiegna; L. Selmi. - STAMPA. - (2005), pp. 42-47. (Intervento presentato al convegno 4th International Conference on Semiconductor Technology tenutosi a Shangai, China nel 15-17 Marzo 2005).
Ballistic effects in advanced MOSFETs along the Roadmap
SANGIORGI, ENRICO;EMINENTE, SIMONE;FIEGNA, CLAUDIO;
2005
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