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ALESSANDRINI M., ESSENI D., FIEGNA C. (2004). Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs. SOLID-STATE ELECTRONICS, 48, 589-595 [10.1016/j.sse.2003.09.023].

Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs

ESSENI, DAVID;FIEGNA, CLAUDIO
2004
2004
ALESSANDRINI M., ESSENI D., FIEGNA C. (2004). Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs. SOLID-STATE ELECTRONICS, 48, 589-595 [10.1016/j.sse.2003.09.023].
ALESSANDRINI M.; ESSENI D.; FIEGNA C.
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