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Alessandrini, M., Esseni, D., Fiegna, C. (2004). Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs. SOLID-STATE ELECTRONICS, 48, 589-595 [10.1016/j.sse.2003.09.023].

Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs

ESSENI, DAVID;FIEGNA, CLAUDIO
2004
2004
Alessandrini, M., Esseni, D., Fiegna, C. (2004). Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs. SOLID-STATE ELECTRONICS, 48, 589-595 [10.1016/j.sse.2003.09.023].
Alessandrini, M.; Esseni, David; Fiegna, Claudio
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