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N. Barin, C. Fiegna, D. Esseni, E. Sangiorgi (2004). Evaluation of ultra-thin double gate MOSFET for the 45 nm technology node. PENNINGTON, NJ : Electrochemical Society.

Evaluation of ultra-thin double gate MOSFET for the 45 nm technology node

FIEGNA, CLAUDIO;SANGIORGI, ENRICO
2004
2004
Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII
45
50
N. Barin, C. Fiegna, D. Esseni, E. Sangiorgi (2004). Evaluation of ultra-thin double gate MOSFET for the 45 nm technology node. PENNINGTON, NJ : Electrochemical Society.
N. Barin;C. Fiegna;D. Esseni;E. Sangiorgi
4.01 Contributo in Atti di convegno
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