Evaluation of ultra-thin double gate MOSFET for the 45 nm technology node / N. Barin;C. Fiegna;D. Esseni;E. Sangiorgi. - STAMPA. - (2004), pp. 45-50. ((Intervento presentato al convegno 207th ECS Meeting - Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII tenutosi a Quebec City, Canada nel May 15-20.
Titolo: | Evaluation of ultra-thin double gate MOSFET for the 45 nm technology node |
Autore/i: | N. Barin; FIEGNA, CLAUDIO; D. Esseni; SANGIORGI, ENRICO |
Autore/i Unibo: | |
Anno: | 2004 |
Titolo del libro: | Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII |
Pagina iniziale: | 45 |
Pagina finale: | 50 |
Data prodotto definitivo in UGOV: | 6-feb-2006 |
Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
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