Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures / N. Barin; C. Fiegna; E. Sangiorgi. - STAMPA. - (2004), pp. 169-172. ((Intervento presentato al convegno 34th European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2004 tenutosi a Leuven Belgium nel 21-23 September 2004.
Titolo: | Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures |
Autore/i: | N. Barin; FIEGNA, CLAUDIO; SANGIORGI, ENRICO |
Autore/i Unibo: | |
Anno: | 2004 |
Titolo del libro: | Proceeding of the 34th European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2004 |
Pagina iniziale: | 169 |
Pagina finale: | 172 |
Data prodotto definitivo in UGOV: | 10-ott-2005 |
Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
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