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N. Barin, C. Fiegna, E. Sangiorgi (2004). Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures. LEUVEN : R.P. Mertens, C. L. Claeys.

Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures

FIEGNA, CLAUDIO;SANGIORGI, ENRICO
2004
2004
Proceeding of the 34th European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2004
169
172
N. Barin, C. Fiegna, E. Sangiorgi (2004). Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures. LEUVEN : R.P. Mertens, C. L. Claeys.
N. Barin; C. Fiegna; E. Sangiorgi
4.01 Contributo in Atti di convegno
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