Self-heating in Silicon-Germanium field effect transistors have been analyzed by both experiments and numerical simulation. Techniques based on strain engineering are proposed in order to minimize heating effects.

Reduced self-heating by strained silicon substrate engineering

FIEGNA, CLAUDIO;SANGIORGI, ENRICO
2008

Abstract

Self-heating in Silicon-Germanium field effect transistors have been analyzed by both experiments and numerical simulation. Techniques based on strain engineering are proposed in order to minimize heating effects.
O'Neill A.; Agaiby R.; Olsen S.; Yang Y.; Hellstrom; P. -E.; Ostling M.; Oehme M.; Lyutovich K.; Kasper E.; Eneman G.; Verheyen P.; Loo R.; Claeys C.; Fiegna C.; Sangiorgi E.
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