GIOVANARDI, FABIO

GIOVANARDI, FABIO  

Mostra records
Risultati 1 - 9 di 9 (tempo di esecuzione: 0.015 secondi).
Titolo Autore(i) Anno Periodico Editore Tipo File
A New Hopping Model for Transport in Chalcogenide Glasses Rudan M.; Giovanardi F.; Piccinini E.; Buscemi F.; Brunetti R.; Jacoboni C. 2009-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Cooperative electron-electron interaction in chalcogenides M. Rudan; G. Marcolini; F. Giovanardi 2012-01-01 - Micron 4.02 Riassunto (Abstract) -
Microscopic Description of the Inter-Trap Transitions in a-Chalcogenides M. Rudan; F. Giovanardi; R. Brunetti; F. Buscemi; G. Marcolini 2013-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Modeling of the oscillation decay in PCM G. Marcolini; F. Giovanardi; M. Rudan; F. Buscemi; E. Piccinini; R. Brunetti; A. Cappelli 2013-01-01 - Micron 4.02 Riassunto (Abstract) -
Modeling of the voltage snap-back in amorphous-GST memory devices M. Rudan; F. Giovanardi; T. Tsafack; F. Xiong; E. Piccinini; F. Buscemi;
A. Liao; E. Pop; R. Bru...
netti; C. Jacoboni
2010-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Modeling the Dynamic Self-Heating of PCM G. Marcolini; F. Giovanardi; M. Rudan; F. Buscemi; E. Piccinini; R. Brunetti; A. Cappelli 2013-01-01 - - 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Multilevel modeling for charge transport in Ovonic chalcogenide materials and devices M. Rudan; F. Giovanardi; E. Piccinini; F. Buscemi; R. Brunetti; A. Cappelli; G. Marcolini; C. Jac...oboni 2013-01-01 JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Quantum Electronic Trap-to-Band Transitions in Chalcogenides Induced by Electron-Electron Interaction F. Buscemi; E. Piccinini; F. Giovanardi; M. Rudan; R. Brunetti; C. Jacoboni 2011-01-01 - IEEE 2.01 Capitolo / saggio in libro -
Voltage Snapback in Amorphous-GST Memory Devices: Transport Model and Validation M. Rudan; F. Giovanardi; E. Piccinini; F. Buscemi; R. Brunetti; C. Jacoboni 2011-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -