BARONE, GAETANO
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 341
EU - Europa 130
AS - Asia 121
SA - Sud America 14
AF - Africa 8
Totale 614
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 337
SG - Singapore 41
CN - Cina 37
GB - Regno Unito 37
RU - Federazione Russa 23
IT - Italia 22
VN - Vietnam 19
DE - Germania 16
IE - Irlanda 11
IN - India 9
HK - Hong Kong 8
BR - Brasile 7
FR - Francia 5
BY - Bielorussia 4
EE - Estonia 4
ZA - Sudafrica 4
AR - Argentina 3
MX - Messico 3
CI - Costa d'Avorio 2
GR - Grecia 2
ID - Indonesia 2
TG - Togo 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
CH - Svizzera 1
CL - Cile 1
EC - Ecuador 1
FI - Finlandia 1
HT - Haiti 1
IQ - Iraq 1
NL - Olanda 1
PE - Perù 1
PK - Pakistan 1
PY - Paraguay 1
RO - Romania 1
SE - Svezia 1
TR - Turchia 1
UA - Ucraina 1
UZ - Uzbekistan 1
Totale 614
Città #
Ann Arbor 138
Southend 36
Fairfield 31
Singapore 24
Woodbridge 18
Ashburn 17
Santa Clara 15
Wilmington 14
Houston 13
Cambridge 12
Dublin 11
Seattle 11
Princeton 10
Beijing 8
Hong Kong 8
Nanjing 5
Saint Petersburg 5
Boardman 4
Medford 4
Minsk 4
Modugno 4
Padova 4
Westminster 4
Chandler 3
Milan 3
Modena 3
Abidjan 2
Buffalo 2
Chelyabinsk 2
Genoa 2
Haikou 2
Hanoi 2
Jinan 2
Lomé 2
Munich 2
Redmond 2
Redondo Beach 2
Shenyang 2
Tianjin 2
Zhengzhou 2
Alexandria 1
Ankara 1
Bandung 1
Berlin 1
Bologna 1
Brasília 1
Bühl 1
Cajamarca 1
Caldicot 1
Campina Grande 1
Cesena 1
Changsha 1
Dearborn 1
Erbil 1
Estreito 1
Faisalabad 1
Frankfurt Am Main 1
Geneva 1
Harbin 1
Hebei 1
Hefei 1
Helsinki 1
Henderson 1
Ho Chi Minh City 1
Itabuna 1
Ivanovo 1
Jiaxing 1
Krasnodar 1
Loja 1
Londrina 1
Los Angeles 1
Mburucuyá 1
Milpa Alta 1
Monterrey 1
Nanchang 1
New York 1
Ningbo 1
Omsk 1
Petrolina 1
Phủ Lý 1
Port-au-Prince 1
Quận Một 1
Rosario 1
Salt Lake City 1
San Luis 1
Stockholm 1
São Lourenço da Mata 1
Taiyuan 1
Tashkent 1
Turin 1
West Lafayette 1
Xiangtan 1
Yubileyny 1
Totale 490
Nome #
Characterization and modeling of high-voltage LDMOS transistors 194
TCAD degradation modeling for LDMOS transistors 159
TCAD predictions of linear and saturation HCS degradation in STI-based LDMOS transistors stressed in the impact-ionization regime 149
Predictive TCAD Approach for the Analysis of Hot-Carrier-Stress Degradation in Integrated STI-based LDMOS Transistors 116
Totale 618
Categoria #
all - tutte 1.417
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book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.417


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/202124 0 0 0 0 0 0 0 0 9 0 0 15
2021/2022203 4 4 28 22 32 20 22 22 20 7 9 13
2022/202350 7 4 1 5 0 1 3 3 13 2 8 3
2023/202416 1 3 1 0 2 1 1 2 0 0 0 5
2024/202583 8 18 7 11 17 2 4 0 3 0 0 13
2025/202672 4 9 20 15 20 4 0 0 0 0 0 0
Totale 618