BARONE, GAETANO

BARONE, GAETANO  

DIPARTIMENTO DI LINGUE, LETTERATURE E CULTURE MODERNE  

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Titolo Autore(i) Anno Periodico Editore Tipo File
Characterization and modeling of high-voltage LDMOS transistors Reggiani, Susanna; Barone, Gaetano; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Poli, Stefa...no; Wise, Rick; Chuang, Ming-Yeh; Tian, Weidong; Pendharkar, Sameer; Denison, Marie 2015-01-01 - Springer International Publishing 2.01 Capitolo / saggio in libro -
Predictive TCAD Approach for the Analysis of Hot-Carrier-Stress Degradation in Integrated STI-based LDMOS Transistors S. Reggiani; G. Barone; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tian 2012-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
TCAD degradation modeling for LDMOS transistors S. Reggiani; G. Barone; E. Gnani; A. Gnudi; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tian; R. Wise 2012-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
TCAD predictions of linear and saturation HCS degradation in STI-based LDMOS transistors stressed in the impact-ionization regime S. Reggiani;G. Barone;E. Gnani;A. Gnudi;G. Baccarani;S. Poli;M.-Y. Chuang;W. Tian;R. Wise 2013-01-01 - - 4.01 Contributo in Atti di convegno -