MONTI, FEDERICO
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 355
AS - Asia 183
EU - Europa 164
AF - Africa 10
SA - Sud America 5
Totale 717
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 351
CN - Cina 66
SG - Singapore 46
GB - Regno Unito 43
VN - Vietnam 34
IT - Italia 21
RU - Federazione Russa 19
SE - Svezia 19
UA - Ucraina 15
DE - Germania 14
HK - Hong Kong 10
JP - Giappone 8
FR - Francia 7
IE - Irlanda 7
IN - India 7
CH - Svizzera 6
KR - Corea 6
BR - Brasile 5
NL - Olanda 5
BE - Belgio 4
CI - Costa d'Avorio 4
JM - Giamaica 3
TR - Turchia 3
TG - Togo 2
ZA - Sudafrica 2
CZ - Repubblica Ceca 1
EE - Estonia 1
GR - Grecia 1
IQ - Iraq 1
LT - Lituania 1
MA - Marocco 1
MX - Messico 1
MY - Malesia 1
SC - Seychelles 1
TH - Thailandia 1
Totale 717
Città #
Ann Arbor 124
Fairfield 35
Southend 34
Singapore 33
Hefei 24
Ashburn 23
Chandler 20
Woodbridge 20
Wilmington 14
Seattle 13
Houston 12
Jacksonville 12
Hong Kong 9
Santa Clara 9
Cambridge 8
Hanoi 8
San Jose 8
Dublin 7
Bern 6
Princeton 6
Seoul 6
Tokyo 6
Boardman 5
Ho Chi Minh City 5
Abidjan 4
Beijing 4
Brussels 4
Padova 4
Frankfurt am Main 3
Lauterbourg 3
Milan 3
Nanjing 3
San Diego 3
São Paulo 3
Turin 3
Westminster 3
Berlin 2
Bologna 2
Cesena 2
Lomé 2
Medford 2
Mülheim 2
Nha Trang 2
Norwalk 2
Ravenna 2
Redondo Beach 2
Saint Petersburg 2
Thái Nguyên 2
Verona 2
Çankaya 2
Almere Stad 1
Ankara 1
Baghdad 1
Bengaluru 1
Browns Town 1
Buffalo 1
Bắc Ninh 1
Can Tho 1
Carney 1
Casablanca 1
Chennai 1
Comalcalco 1
Council Bluffs 1
Da Nang 1
Dallas 1
Franca 1
Fuzhou 1
Guangzhou 1
Hamamatsu 1
Hebei 1
Helixi 1
Hounslow 1
Huế 1
Jiaxing 1
Jinan 1
Johor Bahru 1
Kingston 1
Kunming 1
Los Angeles 1
Mahé 1
Manchester 1
Miami 1
Ninh Bình 1
Nuremberg 1
Pattaya 1
Phoenix 1
Quận Phú Nhuận 1
Santarém 1
Shanghai 1
Shenyang 1
Springfield 1
Stockholm 1
Taiyuan 1
Tianjin 1
Vĩnh Long 1
Vũng Tàu 1
Weinan 1
Zhengzhou 1
Totale 563
Nome #
Linear drain current degradation of STI-based LDMOS transistors under AC stress conditions 266
TCAD analysis of HCS degradation in LDMOS devices under AC stress conditions 266
TCAD analysis of the leakage current and breakdown versus temperature of GaN-on-Silicon vertical structures 190
Totale 722
Categoria #
all - tutte 1.562
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.562


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/202111 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 5 6
2021/2022168 2 8 23 20 23 14 18 14 18 7 7 14
2022/202380 10 16 4 8 7 4 1 1 13 0 8 8
2023/20246 0 2 0 0 1 0 0 0 0 2 0 1
2024/202566 4 4 2 5 15 3 8 3 0 3 4 15
2025/2026173 12 30 17 18 25 6 15 3 33 9 5 0
Totale 722