MONTI, FEDERICO
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 365
AS - Asia 185
EU - Europa 165
AF - Africa 10
SA - Sud America 6
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 5
Totale 736
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 361
CN - Cina 66
SG - Singapore 46
GB - Regno Unito 43
VN - Vietnam 34
IT - Italia 22
RU - Federazione Russa 19
SE - Svezia 19
UA - Ucraina 15
DE - Germania 14
HK - Hong Kong 11
JP - Giappone 8
FR - Francia 7
IE - Irlanda 7
IN - India 7
BR - Brasile 6
CH - Svizzera 6
KR - Corea 6
NL - Olanda 5
BE - Belgio 4
CI - Costa d'Avorio 4
JM - Giamaica 3
TR - Turchia 3
TG - Togo 2
ZA - Sudafrica 2
BD - Bangladesh 1
CZ - Repubblica Ceca 1
EE - Estonia 1
GR - Grecia 1
IQ - Iraq 1
LT - Lituania 1
MA - Marocco 1
MX - Messico 1
MY - Malesia 1
SC - Seychelles 1
TH - Thailandia 1
Totale 731
Città #
Ann Arbor 124
Fairfield 35
Southend 34
Singapore 33
Ashburn 24
Hefei 24
Chandler 20
Woodbridge 20
Wilmington 14
Jacksonville 13
Seattle 13
Houston 12
Hong Kong 10
Santa Clara 10
Cambridge 8
Hanoi 8
San Jose 8
Dublin 7
Bern 6
Princeton 6
Seoul 6
Tokyo 6
Boardman 5
Ho Chi Minh City 5
Abidjan 4
Beijing 4
Brussels 4
Council Bluffs 4
Padova 4
Frankfurt am Main 3
Lauterbourg 3
Milan 3
Nanjing 3
San Diego 3
São Paulo 3
Turin 3
Westminster 3
Berlin 2
Bologna 2
Cesena 2
Lomé 2
Medford 2
Mülheim 2
Nha Trang 2
Norwalk 2
Overland Park 2
Phoenix 2
Ravenna 2
Redondo Beach 2
Saint Petersburg 2
Thái Nguyên 2
Verona 2
Çankaya 2
Almere Stad 1
Ankara 1
Baghdad 1
Bengaluru 1
Browns Town 1
Buffalo 1
Bắc Ninh 1
Can Tho 1
Carney 1
Casablanca 1
Chennai 1
Comalcalco 1
Da Nang 1
Dallas 1
Franca 1
Fuzhou 1
Guangzhou 1
Hamamatsu 1
Hebei 1
Helixi 1
Hounslow 1
Huế 1
Jiaxing 1
Jinan 1
Johor Bahru 1
Kingston 1
Kunming 1
Los Angeles 1
Mahé 1
Manchester 1
Memphis 1
Miami 1
Ninh Bình 1
Nuremberg 1
Pattaya 1
Quận Phú Nhuận 1
Santarém 1
Shanghai 1
Shenyang 1
Springfield 1
Stockholm 1
Suzano 1
Taiyuan 1
Tianjin 1
Viareggio 1
Vĩnh Long 1
Vũng Tàu 1
Totale 574
Nome #
Linear drain current degradation of STI-based LDMOS transistors under AC stress conditions 271
TCAD analysis of HCS degradation in LDMOS devices under AC stress conditions 269
TCAD analysis of the leakage current and breakdown versus temperature of GaN-on-Silicon vertical structures 196
Totale 736
Categoria #
all - tutte 1.683
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.683


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2021/2022158 0 0 23 20 23 14 18 14 18 7 7 14
2022/202380 10 16 4 8 7 4 1 1 13 0 8 8
2023/20246 0 2 0 0 1 0 0 0 0 2 0 1
2024/202566 4 4 2 5 15 3 8 3 0 3 4 15
2025/2026176 12 30 17 18 25 6 15 3 33 9 5 3
2026/202711 3 4 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 736