MONTI, FEDERICO
MONTI, FEDERICO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
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TCAD analysis of the leakage current and breakdown versus temperature of GaN-on-Silicon vertical structures
2016 Cornigli, Davide; Monti, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio
Linear drain current degradation of STI-based LDMOS transistors under AC stress conditions
2014 Reggiani, Susanna; Monti, Federico; G., Barone; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; S., Poli; M. Y., Chuang; W., Tian; R., Wise
TCAD analysis of HCS degradation in LDMOS devices under AC stress conditions
2014 Monti, Federico; Reggiani, Susanna; Barone, G.; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Poli, S.; Chuang, M. Y.; Tian, W.; Varghese, D.; Wise, R.
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TCAD analysis of the leakage current and breakdown versus temperature of GaN-on-Silicon vertical structures | Cornigli, Davide; Monti, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Gi...orgio | 2016-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| Linear drain current degradation of STI-based LDMOS transistors under AC stress conditions | Reggiani, Susanna; Monti, Federico; G., Barone; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio;... S., Poli; M. Y., Chuang; W., Tian; R., Wise | 2014-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| TCAD analysis of HCS degradation in LDMOS devices under AC stress conditions | Monti, Federico; Reggiani, Susanna; Barone, G.; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio;... Poli, S.; Chuang, M. Y.; Tian, W.; Varghese, D.; Wise, R. | 2014-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |