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EnglishABSTRACT In this paper selected applications of Monte Carlo simulation of semi-classical carrier transport are reviewed, including the analysis of quasiballistic transport, the determination of the RF characteristics of deca-nanometric MOSFETs, and the study of non-conventional device structures and channel materials.
| Titolo: | Silicon based nano-MOSFET: New materials, new device architectures, and new challenges for device simulation |
| Autore/i: | SANGIORGI, ENRICO |
| Autore/i Unibo: | |
| Anno: | 2008 |
| Titolo del libro: | Proceedings of the 26th International Conference on Microelectronics, 2008. MIEL 2008. |
| Pagina iniziale: | 25 |
| Pagina finale: | 29 |
| Abstract: | ABSTRACT In this paper selected applications of Monte Carlo simulation of semi-classical carrier transport are reviewed, including the analysis of quasiballistic transport, the determination of the RF characteristics of deca-nanometric MOSFETs, and the study of non-conventional device structures and channel materials. |
| Data prodotto definitivo in UGOV: | 24-feb-2011 |
| Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/11585/99998
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