CRIS Current Research Information System
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishA nonlinear empirical model is here adopted to model the cold-FET behaviour of a GaAs PHEMT, in the framework of a resistive mixer application. The model, purely mathematical and technology independent, is suitably identified in the device operative region of interest and is validated in large-signal conditions by exploiting a measurements setup based on LSVNA.
| Titolo: | Accurate Nonlinear Electron Device Modelling for Cold FET Mixer Design |
| Autore/i: | V. Di Giacomo; SANTARELLI, ALBERTO; A. Raffo; TRAVERSO, PIER ANDREA; D. Schreurs; J. Lonac; D. Resca; G. Vannini; FILICORI, FABIO; M. Pagani |
| Autore/i Unibo: | |
| Anno: | 2008 |
| Titolo del libro: | Proc. of the 3rd European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC08) |
| Pagina iniziale: | 294 |
| Pagina finale: | 297 |
| Abstract: | A nonlinear empirical model is here adopted to model the cold-FET behaviour of a GaAs PHEMT, in the framework of a resistive mixer application. The model, purely mathematical and technology independent, is suitably identified in the device operative region of interest and is validated in large-signal conditions by exploiting a measurements setup based on LSVNA. |
| Data prodotto definitivo in UGOV: | 26-feb-2009 |
| Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11585/73970
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2021