CRIS Current Research Information System

Electrical Activation Of Fe Impurities Introduced In III-V Semiconductors By High Temperature Ion Implantation / T. Cesca; A. Verna; G. Mattei; A. Gasparotto; B. Fraboni; G. Impellizzeri;F. Priolo; L. Tarricone and M. Longo. - ELETTRONICO. - (2006). (Intervento presentato al convegno 28th International Conference on the Physics of Semiconductors tenutosi a Vienna, Austria nel Luglio 2006).

Electrical Activation Of Fe Impurities Introduced In III-V Semiconductors By High Temperature Ion Implantation.

FRABONI, BEATRICE;
2006
2006
Proccedings of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors
Electrical Activation Of Fe Impurities Introduced In III-V Semiconductors By High Temperature Ion Implantation / T. Cesca; A. Verna; G. Mattei; A. Gasparotto; B. Fraboni; G. Impellizzeri;F. Priolo; L. Tarricone and M. Longo. - ELETTRONICO. - (2006). (Intervento presentato al convegno 28th International Conference on the Physics of Semiconductors tenutosi a Vienna, Austria nel Luglio 2006).
T. Cesca; A. Verna; G. Mattei; A. Gasparotto; B. Fraboni; G. Impellizzeri;F. Priolo; L. Tarricone and M. Longo
4.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/43027
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