Deep Levels in 4H Silicon Carbide Epilayers Induced by Neutron-Irradiation up to 1016 n/cm2 / A. Cavallini; A. Castaldini; F. Nava; P. Errani; V. Cindro. - STAMPA. - 911:(2006), pp. B06-01-B06-08. (Intervento presentato al convegno Materials Research Society 2006 Spring Meeting tenutosi a San Francisco, CA nel April 17 - 21, 2006).
Deep Levels in 4H Silicon Carbide Epilayers Induced by Neutron-Irradiation up to 1016 n/cm2
CAVALLINI, ANNA;CASTALDINI, ANTONIO;
2006
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.