CRIS Current Research Information System

Analysis of double-gate MOS structures by solving Poisson and Schroedinger equations with open boundaries / N. BARIN; FIEGNA C.. - STAMPA. - (2004), pp. 93-96. (Intervento presentato al convegno 5th European Workshop on Ultimate Integration of Silicon).

Analysis of double-gate MOS structures by solving Poisson and Schroedinger equations with open boundaries

FIEGNA, CLAUDIO
2004
2004
ULIS 2004 5th European Workshop on Ultimate Integration of Silicon
93
96
Analysis of double-gate MOS structures by solving Poisson and Schroedinger equations with open boundaries / N. BARIN; FIEGNA C.. - STAMPA. - (2004), pp. 93-96. (Intervento presentato al convegno 5th European Workshop on Ultimate Integration of Silicon).
N. BARIN; FIEGNA C.
4.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/3359
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact