G. Meneghesso, S., F. Rossi, M.P. (2004). Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels. s.l : IEEE International.

Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels

CAVALLINI, ANNA;CASTALDINI, ANTONIO;
2004

2004
Reliability Physics Symposium Proceedings,
474
478
G. Meneghesso, S., F. Rossi, M.P. (2004). Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels. s.l : IEEE International.
G. Meneghesso, S.Levada, E. Zanoni, G. Salviati,N. Armani, N.;F. Rossi, M. Pavesi, M. Manfredi,A. Cavallini,A. Castaldini, S. Du, I. Eliashevich, I...espandi
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/19145
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 9
social impact