Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels / G. Meneghesso, S.Levada, E. Zanoni, G. Salviati,N. Armani, N.;F. Rossi, M. Pavesi, M. Manfredi,A. Cavallini,A. Castaldini, S. Du, I. Eliashevich, I. - STAMPA. - 42(2004), pp. 474-478. ((Intervento presentato al convegno Reliability Physics Symposium tenutosi a USA nel 25-29 April 2004.
Titolo: | Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels |
Autore/i: | G. Meneghesso; S. Levada; E. Zanoni; G. Salviati; .N. Armani; N.; F. Rossi; M. Pavesi; CAVALLINI, ANNA; CASTALDINI, ANTONIO; S. Du; I. Eliashevich; I. |
Autore/i Unibo: | |
Anno: | 2004 |
Titolo del libro: | Reliability Physics Symposium Proceedings, |
Pagina iniziale: | 474 |
Pagina finale: | 478 |
Data prodotto definitivo in UGOV: | 17-ott-2005 |
Appare nelle tipologie: | 4.01 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.