CRIS Current Research Information System
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishGate-lag transients and "hole-like" deep level transient spectroscopy signals from AlGaAs-GaAs heterostructure field-effect transistors are shown to be suppressed by illumination with photons with energy larger than the AlGaAs bandgap. The observed pulse-response dependence on light intensity is reproduced and explained by two-dimensional numerical device simulations based on hole-trap behavior of surface deep levels.
| Titolo: | The impact of light on current DLTS and gate-lag transients of AlGaAs-GaAs HFETs |
| Autore/i: | G. Verzellesi; CAVALLINI, ANNA; A. F. Basile; CASTALDINI, ANTONIO; C. Canali |
| Autore/i Unibo: | |
| Anno: | 2004 |
| Rivista: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/LED.2004.831965 |
| Abstract: | Gate-lag transients and "hole-like" deep level transient spectroscopy signals from AlGaAs-GaAs heterostructure field-effect transistors are shown to be suppressed by illumination with photons with energy larger than the AlGaAs bandgap. The observed pulse-response dependence on light intensity is reproduced and explained by two-dimensional numerical device simulations based on hole-trap behavior of surface deep levels. |
| Data prodotto definitivo in UGOV: | 2005-10-17 15:23:38 |
| Appare nelle tipologie: | 1.01 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11585/19014
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2021