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CRIS Current Research Information System
We report on the current transport properties of AlInN/AlN/GaN high electron mobility transitors with different AlN interlayer thickness. We determined the two-dimensional electron gas (2DEG) properties directly from simple current-voltage measurements, carried out with two Schottky contacts in a planar back-to-back configuration. A model has been developed to straightforwardly extract the 2DEG electrical properties from room-temperature current-voltage curves, and we correlated them to the effects of varying AlN thickness. The 2DEG properties calculated from current-voltage analyses are in very good agreement with results obtained with standard Hall measurements.
Two-dimensional electron gas properties by current-voltage analyses of Al0.86In0.14N/AlN/GaN heterostructures
We report on the current transport properties of AlInN/AlN/GaN high electron mobility transitors with different AlN interlayer thickness. We determined the two-dimensional electron gas (2DEG) properties directly from simple current-voltage measurements, carried out with two Schottky contacts in a planar back-to-back configuration. A model has been developed to straightforwardly extract the 2DEG electrical properties from room-temperature current-voltage curves, and we correlated them to the effects of varying AlN thickness. The 2DEG properties calculated from current-voltage analyses are in very good agreement with results obtained with standard Hall measurements.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11585/105002
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
