POLI, STEFANO
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 92
EU - Europa 26
AS - Asia 20
SA - Sud America 4
AF - Africa 1
Totale 143
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 92
GB - Regno Unito 10
SG - Singapore 8
CN - Cina 7
DE - Germania 5
IT - Italia 5
BR - Brasile 2
IN - India 2
VN - Vietnam 2
AR - Argentina 1
CH - Svizzera 1
EE - Estonia 1
FR - Francia 1
GR - Grecia 1
HK - Hong Kong 1
IE - Irlanda 1
RU - Federazione Russa 1
VE - Venezuela 1
ZA - Sudafrica 1
Totale 143
Città #
Ann Arbor 33
Wilmington 13
Fairfield 11
Southend 10
Singapore 6
Ashburn 4
Chandler 4
Houston 3
Seattle 3
Woodbridge 3
Bologna 2
Nanjing 2
Princeton 2
Beijing 1
Berlin 1
Boardman 1
Buffalo 1
Coronel Fabriciano 1
Dublin 1
Frankfurt Am Main 1
Glew 1
Hanoi 1
Hong Kong 1
Jackson 1
Jinan 1
Maracaibo 1
Medford 1
Milan 1
Monroe 1
Ningbo 1
Norwalk 1
Nuremberg 1
Padova 1
Phủ Lý 1
San Diego 1
Santa Clara 1
Taizhou 1
Westminster 1
Totale 121
Nome #
Modeling and characterization of hot-carrier stress degradation in power MOSFETs 144
Totale 144
Categoria #
all - tutte 410
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 410


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/20214 0 0 0 0 0 0 0 0 3 0 0 1
2021/202250 1 0 7 5 7 4 7 6 5 3 1 4
2022/202313 1 2 0 2 3 1 0 1 3 0 0 0
2023/20242 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2024/20259 0 3 1 2 1 0 1 0 0 0 0 1
2025/202616 2 4 2 0 5 3 0 0 0 0 0 0
Totale 144