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In this work, a field effect transistor based on a deoxyguanosine derivative (a DNA base) is demonstrated. Our experiments on transport through the source and drain electrodes interconnected by self-assembled guanine ribbons (Gottarelli et al. Helv. Chim. Acta 1998, 81, 2078; Gottarelli et al. Chem. Eur. J. 2000, 6, 3242; Giorgi et al. Chem Eur. J. 2002, 8, 2143) suggest that these devices behave like p-channel MOSFETs. The devices exhibit a maximum voltage gain of 0.76. This prototype transistor represents a starting point toward the development of biomolecular electronic devices.
Maruccio G., Visconti P., Arima V., D'Amico S., Biasco A., D'Amone E., et al. (2003). Field effect transistor based on a modified DNA base. NANO LETTERS, 3(4), 479-483 [10.1021/nl034046c].
Field effect transistor based on a modified DNA base
In this work, a field effect transistor based on a deoxyguanosine derivative (a DNA base) is demonstrated. Our experiments on transport through the source and drain electrodes interconnected by self-assembled guanine ribbons (Gottarelli et al. Helv. Chim. Acta 1998, 81, 2078; Gottarelli et al. Chem. Eur. J. 2000, 6, 3242; Giorgi et al. Chem Eur. J. 2002, 8, 2143) suggest that these devices behave like p-channel MOSFETs. The devices exhibit a maximum voltage gain of 0.76. This prototype transistor represents a starting point toward the development of biomolecular electronic devices.
Maruccio G., Visconti P., Arima V., D'Amico S., Biasco A., D'Amone E., et al. (2003). Field effect transistor based on a modified DNA base. NANO LETTERS, 3(4), 479-483 [10.1021/nl034046c].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/959307
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
